[发明专利]TFT阵列基板及OLED显示面板

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板及OLED显示面板。本发明的TFT阵列基板包括衬底、TFT层、平坦化层及阳极层，衬底包括摄像头区，阳极层包括位于摄像头区内的第一阳极，该第一阳极包括依次设置的第一底透明电极层、第一金属电极层及第一顶透明电极层，第一金属电极层具有呈网格状结构的第一部分，该第一部分具有多个镂空孔，所述第一顶透明电极层填充多个镂空孔，从而大大提升了第一阳极的穿透率，并且降低了第一阳极的电阻值，有效地提升了产品的品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及OLED显示面板。

背景技术

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

随着显示技术的发展，采用全面屏设计的显示装置越来越受到消费者的青睐。现有技术会采用屏下摄像头技术来提升屏占比以实现全面屏设计，采用屏下摄像头技术的OLED显示面板对应摄像头设置有摄像头区域，该摄像头区域需要在使用摄像头时不显示且具有高透光性，在不使用摄像头时进行正常显示。

请参阅图1，现有的一种采用屏下摄像头技术的OLED显示面板的TFT阵列基板包括衬底100、设于衬底100上的TFT层200、设于TFT层200上的平坦化层300、设于平坦化层300上的阳极层400及设于阳极层400上的像素定义层500。所述衬底100包括有效显示区110及与有效显示区110相邻的摄像头区120。所述阳极层400包括位于有效显示区110内的第一阳极410及位于摄像头区120内的第二阳极420，所述第一阳极410包括第一氧化铟锡(ITO)层4101、设于第一ITO层4101上的银层4102及设于银(Ag)层4102上的第二ITO层4103，所述第二阳极420整体采用ITO制作。为了保证第二阳极420的透光性，第二阳极420的厚度一般较薄(优选为40nm)，其导电性较差(电阻值约为ITO/Ag/ITO结构的电极(厚度采用15nm/140nm/15nm)的200倍)，导致发光显示过程中存在信号延迟，影响第二阳极420对应位置的显示效果，导致发光效率降低，并且由于第一阳极410与第二阳极420的膜层结构不同，制程数量增多，生产成本增加。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，摄像头区内阳极的穿透率高，且电阻值较小，产品品质高。

本发明的另一目的在于提供一种OLED显示面板，摄像头区内阳极的穿透率高，且电阻值较小，产品品质高。

为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT阵列基板，包括衬底、设于衬底上的TFT层、设于TFT层上的平坦化层及设于平坦化层上的阳极层；