[发明专利]基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法在审
| 申请号： | 201910340501.7 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110212103A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张宁;叶志 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；所述的有源层为ZnO薄膜。本发明的像素点电路可组成像素点电路阵列，可用于制造一种透明TFT量子点显示屏，该像素点电路阵列可以有50行50列共2500个像素点电路。本发明的透明TFT量子点显示屏成本较低，制备简易，具有优秀的电气性能，相比传统OLED显示屏具有更好的亮度和色彩对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 像素点 量子点 电路 制备 透明 电路阵列 发光结构 源层 透明金属氧化物 色彩对比度 显示屏成本 存储电容 电气性能 保护层 栅氧层 电极 可用 显示屏 选址 简易 驱动 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；所述的有源层为ZnO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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