[发明专利]基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法

说明书

本发明涉及一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；所述的有源层为ZnO薄膜。本发明的像素点电路可组成像素点电路阵列，可用于制造一种透明TFT量子点显示屏，该像素点电路阵列可以有50行50列共2500个像素点电路。本发明的透明TFT量子点显示屏成本较低，制备简易，具有优秀的电气性能，相比传统OLED显示屏具有更好的亮度和色彩对比度。

技术领域

本发明涉及一种像素点电路的设计，尤其是一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法。

背景技术

量子点显示属于创新半导体纳米晶体技术，可以准确输送光线，高效提升显示屏的色域值，让色彩更加纯净鲜艳，使色彩表现更具张力。其核心是直径在纳米级别的晶粒受到光电刺激时会根据晶粒直径的大小不同而激发出不同颜色的单色光。

而透明量子点显示电路，主要包含基于透明TFT设计的像素点驱动电路和量子点显示结构。像素点驱动电路通常由个数不一的晶体管和电容构成(常见的结构有2T-1C和3T-1C)。量子点显示结构是由阴极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极等构成的层叠状的结构。

现在显示器方面的主流研究和市场应用还是集中在OLED方面，对于量子点显示(QLED)的应用还只是一个起步的阶段，和OLED相比，QLED具有色域高、对比度强、寿命长等优点。而在TFT领域，目前使用氢化非晶硅(a-Si:H)作为有源层的TFT应用已经较为成熟，但金属氧化物TFT相比于氢化非晶硅TFT，拥有电子迁移率高、大面积成膜均匀性好，反应温度低等不可比拟的优点。但由于金属氧化物TFT也存在稳定性方面的一些问题，会对QLED的电气性能造成一定的影响，所以目前应用于QLED中尚属少数。

发明内容

本发明针对现有技术的缺乏和不足，提供了一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法。

本发明的一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，包含一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；

所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；

所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；

所述的有源层为ZnO薄膜。

进一步的，所述的透明金属氧化物为锌、锡、铜、铟、铝、钛、银或镓的其中两种或两种以上的氧化物的混合物，或者锌、锡、铜或铟的其中一种的氧化物。

进一步的，所述的量子点发光结构为层叠状结构，从最下层到上层顺序为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。

进一步的，所述的像素点电路可组成像素点电路阵列，可用于制造显示屏。

本发明还提供了一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路阵列的制备方法，具体的制造步骤如下：

(1)最底层为玻璃衬底，清洗并干燥；

(2)在玻璃衬底上沉积ITO；

(3)在ITO上刻蚀出源漏极后，再在上面生长ZnO有源层和保护层；

(4)然后刻蚀有源层和保护层，继续在上面生长栅氧层；

(5)刻蚀通孔，沉积栅极ITO；

(6)在栅极ITO上生长保护层，并刻蚀暴露出作为量子点发光结构阳极材料的ITO；

(7)在ITO阳极上旋涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；