[发明专利]基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法

权利要求书

1.一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；

所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；

所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；

所述的有源层为ZnO薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，所述的透明金属氧化物为锌、锡、铜、铟、铝、钛、银或镓的其中两种或两种以上的氧化物的混合物，或者锌、锡、铜或铟的其中一种的氧化物。

3.根据权利要求1所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，所述的量子点发光结构为层叠状结构，从最下层到上层顺序为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。

4.根据权利要求1-3任一项所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，所述的像素点电路可组成像素点电路阵列，用于制造显示屏。

5.根据权利要求4所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路阵列的制备方法，其特征在于，具体的制造步骤如下：

(1)将玻璃衬底清洗并干燥；

(2)在玻璃衬底上沉积ITO；

(3)在ITO上刻蚀出源漏级，再在上面生长ZnO有源层和保护层；

(4)然后刻蚀有源层和保护层，继续在上面生长栅氧层；

(5)刻蚀通孔，沉积栅极ITO；

(6)在栅极ITO上生长保护层，并刻蚀暴露出作为量子点发光结构阳极材料的ITO；

(7)在ITO阳极上旋涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；

(8)继续溅射ITO作为量子点发光结构的阴极材料。

6.根据权利要求5中所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点像素点电路阵列的制备方法，其特征在于，在阳极ITO上旋涂空穴注入层时，需要对ITO电极亲水处理，所采用的处理工艺为plasma处理或者UV-O3方法处理。

7.根据权利要求5中所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点像素点电路阵列的制备方法，其特征在于，所述的空穴注入层的材料为PE-DOT。

8.根据权利要求5中所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点像素点电路阵列的制备方法，其特征在于，所述的空穴传输层的材料为TFB。

9.根据权利要求5中所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点像素点电路阵列的制备方法，其特征在于，所述的电子传输层的材料为ZnO纳米颗粒。