[发明专利]三维电容器结构及其制作方法在审
申请号: | 201910334591.9 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN111863449A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 张汝京;尹晓明;汪燕 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/232;H01G4/005;H01G4/08;H01G4/008;H01L49/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种三维电容器结构及其制作方法,结构包括:基底;堆叠结构,包括交替层叠的导电层及介质层,其两侧具有第一台阶结构及第二台阶结构;隔离层,形成于所述堆叠结构上,其形成有第一通孔组及第二通孔组并填充导电材料,第一通孔组通过第一台阶结构实现堆叠结构中奇数级导电层的引出,第二通孔组通过第二台阶结构实现堆叠结构中偶数级导电层的引出;第一电极及第二电极,形成于隔离层上。本发明的三维电容器呈自下而上的导电层与介质层三维堆叠而成,不需要在衬底上刻蚀高深宽比的电容孔及对高深宽比的电容孔的填充,大大降低了工艺难度以及工艺成本。本发明通过控制堆叠的层数可以实现非常高的电容密度。 | ||
搜索关键词: | 三维 电容器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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