[发明专利]三维电容器结构及其制作方法

权利要求书

1.一种三维电容器结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

1)提供一基底，于所述基底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的导电层及介质层；

2)于所述堆叠结构的两侧刻蚀出相互对应的第一台阶结构及第二台阶结构，所述第一台阶结构及第二台阶结构包含多级台阶，每级台阶包含自下往上层叠的一介质层及一导电层；

3)于所述堆叠结构上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一台阶结构及第二台阶结构；

4)于所述隔离层中形成第一通孔组及第二通孔组，所述第一通孔组连通所述第一台结构中的奇数级的台阶，所述第二通孔组连通所述第二台阶结构中的偶数级的台阶；

5)于所述第一通孔组及第二通孔组中填充导电材料，所述第一通孔组通过所述第一台阶结构实现所述堆叠结构中奇数级导电层的引出，所述第二通孔组通过所述第二台阶结构实现所述堆叠结构中偶数级导电层的引出；

6)于对应所述第一通孔组的隔离层上制作第一电极，于对应所述第二通孔组的隔离层上制作第二电极。

2.根据权利要求1所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：步骤2)于所述堆叠结构的两侧刻蚀出相互对应的第一台阶结构及第二台阶结构，包括：

2-1)于所述堆叠结构上形成掩膜层，对所述堆叠结构刻蚀一个台阶厚度，形成第一级台阶；

2-2)对所述掩膜层进行横向刻蚀，在所述堆叠结构中暴露出第二级台阶区域表面；以所述掩膜层为掩膜，对所述第二级台阶区域及第一级台阶均刻蚀一个台阶厚度，形成第二级台阶；

2-3)重复上述步骤2-2)，直至在在所述堆叠结构的两侧刻蚀出相互对应的第一台阶结构及第二台阶结构。

3.根据权利要求2所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：所述掩膜层包括光刻胶层，所述光刻胶层的厚度介于100纳米～200微米之间。

4.根据权利要求2所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：每次对所述掩膜层进行横向刻蚀的刻蚀宽度介于50纳米～2微米之间。

5.根据权利要求1所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：所述导电层的电阻率小于10ohm*m，所述导电层包括掺杂的多晶硅、W、Ti、TiN、Ta、TaN及Al中的一种。

6.根据权利要求1所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：所述介质层包括SiOx、HfOx、TaOx、SiNx及AlOx中的一种。

7.根据权利要求1所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：所述导电层的厚度介于15纳米～100纳米之间，所述介质层的厚度介于2纳米～20纳米之间。

8.根据权利要求1所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：所述第一台阶结构及第二台阶结构所占区域的宽度分别介于50微米～30毫米之间。

9.根据权利要求1所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：所述第一通孔组及第二通孔组中填充的导电材料包括钨。

10.根据权利要求1所述的三维电容器结构的制作方法，其特征在于：所述第一通孔组及第二通孔组中，任意相邻两通孔之间的距离介于50纳米～600纳米之间。