[发明专利]一种像素结构、CMOS图像传感器和终端有效
申请号: | 201910330862.3 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110112156B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 贾伟;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例公开了一种像素结构,其中,该像素结构包括滤光片、光电二极管和读出电路,其中,滤光片用于对接收到的入射光进行过滤,得到特定波长的光,光电二极管放置于滤光片中背对入射光的表面的一侧,光电二极管的光接收面与滤光片中背对入射光的表面相对放置,光电二极管用于当像素结构中呈正方形光接收面的边长小于特定波长时,根据光电二极管的光接收面的共振波长,对接收到特定波长进行吸收,并将吸收到的光转换为电信号,读出电路与光电二极管的负极相连接,用于读出电信号。本申请实施例还同时提供了一种CMOS图像传感器和终端。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 cmos 图像传感器 终端 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包括滤光片、光电二极管和读出电路;其中,所述滤光片用于对接收到的入射光进行过滤,得到特定波长的光;所述光电二极管放置于所述滤光片中背对所述入射光的表面的一侧,所述光电二极管的光接收面与所述滤光片中背对所述入射光的表面相对放置,所述光电二极管用于当所述像素结构中呈正方形光接收面的边长小于所述特定波长时,根据所述光电二极管的光接收面的共振波长,对所述特定波长进行吸收,并将吸收到的光转换为电信号;其中,所述共振波长为所述光电二极管的光接收面发生共振吸收时的波长;所述读出电路与所述光电二极管的负极相连接,用于读出所述电信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于OPPO广东移动通信有限公司,未经OPPO广东移动通信有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910330862.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:像素单元、图像传感器以及图像处理方法和存储介质
- 下一篇:一种图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的