[发明专利]一种像素结构、CMOS图像传感器和终端

说明书

本申请实施例公开了一种像素结构，其中，该像素结构包括滤光片、光电二极管和读出电路，其中，滤光片用于对接收到的入射光进行过滤，得到特定波长的光，光电二极管放置于滤光片中背对入射光的表面的一侧，光电二极管的光接收面与滤光片中背对入射光的表面相对放置，光电二极管用于当像素结构中呈正方形光接收面的边长小于特定波长时，根据光电二极管的光接收面的共振波长，对接收到特定波长进行吸收，并将吸收到的光转换为电信号，读出电路与光电二极管的负极相连接，用于读出电信号。本申请实施例还同时提供了一种CMOS图像传感器和终端。

技术领域

本申请涉及终端中互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal OxideSemiconductor)图像传感器的像素结构对光的吸收技术，尤其涉及一种像素结构、CMOS图像传感器和终端。

背景技术

CMOS图像传感器因其制造成本低和功耗低而广泛应用于摄影摄像的产品中，针对CMOS图像传感器来说，较高灵敏度、较短曝光时间和日渐缩小的像素尺寸已经成为CMOS图像传感器的发展趋势。

目前，传统的像素结构的像素尺寸大约为800nm，但是，当像素尺寸缩小至低于自然光的波长，例如，像素尺寸低于200nm时，像素结构中光电二极管对光的吸收率急剧下降，导致吸收率很低，这样，不利于CMOS图像传感器的成像；由此可以看出，现有的小尺寸像素结构存在对光的吸收率很低的技术问题。

发明内容

本申请实施例期望提供一种像素结构、CMOS图像传感器和终端，旨在提高小尺寸像素结构对光的吸收率。

本申请的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种像素结构，所述像素结构包括滤光片、光电二极管和读出电路；其中，

所述滤光片用于对接收到的入射光进行过滤，得到特定波长的光；

所述光电二极管放置于所述滤光片中背对所述入射光的表面的一侧，所述光电二极管的光接收面与所述滤光片中背对所述入射光的表面相对放置，所述光电二极管用于当所述像素结构中呈正方形光接收面的边长小于所述特定波长时，根据所述光电二极管的光接收面的共振波长，对所述特定波长进行吸收，并将吸收到的光转换为电信号；其中，所述共振波长为所述光电二极管的光接收面发生共振吸收时的波长；

所述读出电路与所述光电二极管的负极相连接，用于读出所述电信号。

在上述像素结构中，所述特定波长在所述共振波长的范围之内。

在上述像素结构中，所述特定波长包括以下任意一项：红光波长，黄光波长，蓝光波长。

在上述像素结构中，所述光电二极管的光接收面的面积小于所述像素结构中呈正方形光接收面的面积。

在上述像素结构中，所述光电二极管的光接收面的形状包括以下任意一项：圆形、正方形、三角形、五边形和六边形。

在上述像素结构中，所述光电二极管的形状为圆柱体；其中，所述光电二极管的光接收面为所述圆柱体的其中一个圆形底面。

在上述像素结构中，当所述光电二极管的光接收面为圆形时，所述光电二极管的光接收面的共振波长与所述圆形的直径呈正相关性。

在上述像素结构中，当所述特定波长为蓝光波长，且所述像素结构中呈正方形光接收面的边长为100nm时，所述光电二极管的圆形光接收面的直径为70nm。

本申请实施例还提供了一种CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器包括上述一个或多个实施例所述的像素结构。

本申请实施例还提供了一种终端，所述终端包括上述实施例所述的CMOS图像传感器。