[发明专利]一种像素结构、CMOS图像传感器和终端

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括滤光片、光电二极管和读出电路；其中，

所述滤光片用于对接收到的入射光进行过滤，得到特定波长的光；

所述光电二极管放置于所述滤光片中背对所述入射光的表面的一侧，所述光电二极管的光接收面与所述滤光片中背对所述入射光的表面相对放置，所述光电二极管用于当所述像素结构中呈正方形光接收面的边长小于所述特定波长时，根据所述光电二极管的光接收面的共振波长，对所述特定波长进行吸收，并将吸收到的光转换为电信号；其中，所述共振波长为所述光电二极管的光接收面发生共振吸收时的波长；

所述读出电路与所述光电二极管的负极相连接，用于读出所述电信号。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述特定波长在所述共振波长的范围之内。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述特定波长包括以下任意一项：红光波长，黄光波长，蓝光波长。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述光电二极管的光接收面的面积小于所述像素结构中呈正方形光接收面的面积。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述光电二极管的光接收面的形状包括以下任意一项：圆形、正方形、三角形、五边形和六边形。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述光电二极管的形状为圆柱体；其中，所述光电二极管的光接收面为所述圆柱体的其中一个圆形底面。

7.根据权利要求5或6所述的像素结构，其特征在于，当所述光电二极管的光接收面为圆形时，所述光电二极管的光接收面的共振波长与所述圆形的直径呈正相关性。

8.根据权利要求5或6所述的像素结构，其特征在于，当所述特定波长为蓝光波长，且所述像素结构中呈正方形光接收面的边长为100nm时，所述光电二极管的圆形光接收面的直径为70nm。

9.一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括上述权利要求1至8中任一项所述的像素结构。

10.一种终端，其特征在于，所述终端包括上述权利要求9中所述的CMOS图像传感器。