[发明专利]阻隔膜及其制备方法、量子点膜及其制备方法、电子器件有效

专利信息
申请号: 201910328344.8 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN110105606B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 康永印;赵飞 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: C08J7/043 分类号: C08J7/043;C08J7/048;C08L67/02;C09D175/04;C09D129/04;C09D4/06;C09D4/02;B32B27/36;B32B27/30;B32B27/40;B32B27/20;B32B7/12;B32B3/26;B32B3/08
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 胡拥军;糜婧
地址: 310052 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了阻隔膜及其制备方法、量子点膜及其制备方法、电子器件。其中,阻隔膜包括基层以及设于基层表面的网络状底涂层,底涂层形成多个具有开口的网格,各网格内填充有用于阻隔水汽或氧气的阻隔树脂,底涂层的顶部的至少一部分未被阻隔树脂覆盖。在阻隔膜的基层上引入网络状的底涂层,将阻隔树脂填充在底涂层形成的网格内,从而在基层上获得了剥离力强弱交替的阻隔层,大幅提高了阻隔膜的剥离强度。
搜索关键词: 阻隔 及其 制备 方法 量子 电子器件
【主权项】:
1.一种用于量子点膜的阻隔膜,其特征在于,包括基层以及设于所述基层表面的网络状底涂层,所述底涂层形成多个具有开口的网格,各所述网格内填充有用于阻隔水汽或氧气的阻隔树脂,所述底涂层的顶部的至少一部分未被所述阻隔树脂覆盖。
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