[发明专利]集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910312232.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110931466B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 文瑄敏;金洙焕;金铉埈;朴成律;朴瑛琳;蒋在完 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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