[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

电极，所述电极包括第一金属；

缓冲层，设置在所述电极上，所述缓冲层包括所述第一金属、氧原子和氮原子；以及

电介质结构，设置在所述缓冲层上，其中所述电介质结构包括：

结晶诱导膜，设置在所述缓冲层上，所述结晶诱导膜包括第一金属氧化物膜，所述第一金属氧化物膜包括所述第一金属；和

第一电介质膜，设置在所述结晶诱导膜上，所述第一电介质膜包括第二金属氧化物膜，所述第二金属氧化物膜包括第二金属，其中所述第二金属不同于所述第一金属。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一金属包括过渡金属或后过渡金属。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述结晶诱导膜的第一厚度小于所述第一电介质膜的第二厚度。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一电介质膜的一部分或全部具有四方相。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜之间的晶格失配为15％或更小。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述电极包括包含所述第一金属的金属膜、包含所述第一金属的金属氧化物膜、包含所述第一金属的金属氮化物膜和包含所述第一金属的金属氮氧化物膜中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一电介质膜包括：

第一局部区域，设置在所述结晶诱导膜上；和

第二局部区域，一体地连接到所述第一局部区域并设置在所述第一电介质膜的与所述结晶诱导膜间隔开的远端。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述缓冲层中的氮原子含量在所述缓冲层的厚度方向上变化。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述电介质结构还包括：

第二电介质膜，设置在所述第一电介质膜上，所述第二电介质膜具有比所述第一电介质膜的第一带隙大的第二带隙。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述电介质结构还包括：

第二电介质膜，设置在所述第一电介质膜上，所述第二电介质膜具有比所述第一电介质膜的第一带隙大的第二带隙；和

第三电介质膜，设置在所述第二电介质膜上，所述第三电介质膜具有比所述第二带隙大的第三带隙。

11.一种集成电路器件，包括：

基板；

底电极，设置在所述基板之上，所述底电极包括第一金属；

顶电极，设置在所述底电极之上；

电介质结构，设置在所述底电极和所述顶电极之间；以及

缓冲层，设置在所述底电极和所述电介质结构之间，所述缓冲层包括所述第一金属、氧原子和氮原子，

其中所述电介质结构包括：

结晶诱导膜，设置在所述缓冲层上；和

第一电介质膜，设置在所述结晶诱导膜上，所述第一电介质膜包括第二金属氧化物膜，所述第二金属氧化物膜包括第二金属，其中所述第二金属不同于所述第一金属。

12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述第一电介质膜包括：

第一局部区域，设置在所述底电极和所述顶电极之间，所述第一局部区域设置在所述结晶诱导膜上；和

第二局部区域，一体地连接到所述第一局部区域并设置在所述第一电介质膜的与所述结晶诱导膜间隔开的远端。

13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中所述电介质结构包括：

具有第一厚度的第一部分，所述第一部分设置在所述底电极和所述顶电极之间；和

具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二部分，所述第二部分包括所述第二局部区域。