[发明专利]集成电路器件及其制造方法

说明书

本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。

技术领域

本公开的方法和装置涉及一种集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法，更具体地，涉及具有电介质膜的集成电路器件以及制造具有该电介质膜的集成电路器件的方法。

背景技术

随着电子技术的进步，半导体器件已经迅速按比例缩小。因此，构成电子器件的图案已经相应地减小。此外，需要开发一种结构，即使具有相对小的厚度的电介质膜形成在精细尺寸的电容器中，该结构也能够减少来自精细尺寸的电容器的泄漏电流并保持期望的电特性。

发明内容

本公开的实施方式提供一种集成电路器件，其可以减少来自电容器的泄漏电流并保持期望的电特性。

本公开的实施方式还提供一种制造集成电路器件的方法，其可以减少来自电容器的泄漏电流并保持期望的电特性。

根据本公开的一实施方式，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：电极，包含第一金属；设置在电极上的缓冲层，该缓冲层包括第一金属、氧原子和氮原子；以及设置在缓冲层上的电介质结构，其中电介质结构包括：设置在缓冲层上的结晶诱导膜，该结晶诱导膜包括第一金属氧化物膜，该第一金属氧化物膜包括第一金属；和设置在结晶诱导膜上的第一电介质膜，该第一电介质膜包括第二金属氧化物膜，该第二金属氧化物膜包括第二金属，其中第二金属不同于第一金属。

根据本公开的一实施方式，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板；设置在基板之上的底电极，该底电极包括第一金属；设置在底电极之上的顶电极；电介质结构，设置在底电极和顶电极之间；以及设置在底电极和电介质结构之间的缓冲层，该缓冲层包括第一金属、氧原子和氮原子，其中电介质结构包括：设置在缓冲层上的结晶诱导膜；和设置在结晶诱导膜上的第一电介质膜，该第一电介质膜包括第二金属氧化物膜，该第二金属氧化物膜包括第二金属，其中第二金属不同于第一金属。

根据本公开的一实施方式，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板；设置在基板之上的底电极，该底电极包括第一金属；顶电极，设置在底电极之上；电介质结构，设置在底电极和顶电极之间，该电介质结构包括结晶诱导膜、设置在结晶诱导膜上的第一电介质膜和设置在第一电介质膜上的第二电介质膜，该结晶诱导膜包括第一金属氧化物膜，该第一金属氧化物膜包括第一金属，并且该结晶诱导膜设置在底电极的表面之上，第一电介质膜具有第一带隙，该第二电介质膜具有大于第一带隙的第二带隙；以及缓冲层，设置在底电极和结晶诱导膜之间，该缓冲层包括第一金属、氧原子和氮原子。

根据本公开的一实施方式，提供一种制造集成电路器件的方法，该方法包括：在基板之上形成电极，该电极包括第一金属；部分地氧化该电极以在电极的表面上形成结晶诱导膜，该结晶诱导膜包括第一金属氧化物膜，该第一金属氧化物膜包括第一金属；以及在结晶诱导膜上形成第一电介质膜，该第一电介质膜包括第二金属氧化物膜，该第二金属氧化物膜包括第二金属，其中第二金属不同于第一金属。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，本公开的实施方式将被更清楚地理解，附图中：

图1是示出根据一实施方式的集成电路器件的主要构造的剖视图；

图2是示出根据一实施方式的集成电路器件的主要构造的剖视图；

图3是示出一根据实施方式的集成电路器件的主要构造的剖视图；

图4A和图4B是剖视图，每个示出根据一实施方式的集成电路器件的主要构造；

图5是示出根据一实施方式的集成电路器件的主要构造的剖视图；

图6A是示出根据一实施方式的集成电路器件的剖视图，图6B是图6A的局部区域的放大剖视图；