[发明专利]双栅TFT、像素电路及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201910310959.8 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN109962114B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 刘清召;王国强;黄睿;王利忠;董水浪;卢鑫泓 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G09G3/3208
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种双栅TFT、像素电路及其控制方法。双栅薄膜晶体管还包括设置在衬底上的有源层;设置在衬底上的第一栅极和第二栅极;设置在衬底上的第一电极、第二电极和第三电极,第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与有源层电连接,第三电极用于与光敏器件电连接,其中,第三电极与所述第一栅极或第二栅极通过第三通孔电连接;或者,第三电极与有源层通过第四通孔连接。根据本申请实施例的技术方案,双栅薄膜晶体管在不同的控制信号驱动下,实现一个双栅薄膜液晶管同时作为光敏器件和有机放光器件的开关,大大减少了TFT数量,有助于实现高分辨率。
搜索关键词: 双栅 tft 像素 电路 及其 控制 方法
【主权项】:
1.一种双栅薄膜晶体管,其设置在衬底上,其特征在于,所述双栅薄膜晶体管还包括:设置在所述衬底上的有源层;设置在所述衬底上的第一栅极和第二栅极;设置在所述衬底上的第一电极、第二电极和第三电极,所述第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与所述有源层电连接,所述第三电极用于与光敏器件电连接,其中,所述第三电极与所述第一栅极或所述第二栅极通过第三通孔电连接;或者,所述第三电极与所述有源层通过第四通孔电连接。
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