[发明专利]双栅TFT、像素电路及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201910310959.8 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN109962114B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 刘清召;王国强;黄睿;王利忠;董水浪;卢鑫泓 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G09G3/3208
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 双栅 tft 像素 电路 及其 控制 方法
【说明书】:

本申请公开了一种双栅TFT、像素电路及其控制方法。双栅薄膜晶体管还包括设置在衬底上的有源层;设置在衬底上的第一栅极和第二栅极;设置在衬底上的第一电极、第二电极和第三电极,第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与有源层电连接,第三电极用于与光敏器件电连接,其中,第三电极与所述第一栅极或第二栅极通过第三通孔电连接;或者,第三电极与有源层通过第四通孔连接。根据本申请实施例的技术方案,双栅薄膜晶体管在不同的控制信号驱动下,实现一个双栅薄膜液晶管同时作为光敏器件和有机放光器件的开关,大大减少了TFT数量,有助于实现高分辨率。

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域,尤其涉及双栅TFT、像素电路及其控制方法。

背景技术

随着显示技术的发展,显示装置的显示效果越来越好,给人们带来了良好的视觉体验,但由于生活水平的提高,人们对显示装置的要求不仅局限于显示效果,还要求显示其具有多样化的功能。

例如显示装置将图像显示和指纹识别技术结合起来,形成具有指纹识别功能的显示装置。但是这种显示装置中图像显示和指纹识别都是通过独立的薄膜晶体管TFT(ThinFilm Transistor),作为驱动开关,这样导致像素密度被大大地降低了,也不利于获得高分辨率的显示效果。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种双栅TFT、像素电路及其控制方法来解决上述问题。

第一方面,本申请实施例提供了一种双栅薄膜晶体管,其设置在衬底上,该双栅薄膜晶体管还包括:

设置在衬底上的有源层;

设置在衬底上的第一栅极和第二栅极;

设置在衬底上的第一电极、第二电极和第三电极,第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与有源层电连接,第三电极用于与光敏器件电连接,其中,第三电极与所述第一栅极或第二栅极通过第三通孔电连接;或者,第三电极与有源层通过第四通孔电连接。

第二方面,本申请提供了一种像素电路,像素电路包括如第一方面描述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件,其中光敏器件间接与第一栅极或第二栅极电连接;

双栅薄膜晶体管用于经第一栅极和第二栅极同步接收第一控制信号,使得双栅薄膜晶体管工作在亚阈值区域;

光敏器件用于在双栅薄膜晶体管接收第一控制信号的同时,同步接收第二控制信号,使得光敏器件处于反偏状态;

在光敏器件处于反偏状态的时间周期内,光敏器件响应于检测到的光信号,将光信号转换成电荷以使得第一栅极产生偏压,并使得双栅薄膜晶体管在偏压作用下产生第一电流值,第一电流用于指纹识别;

或者,双栅薄膜晶体管用于经第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号,使得双栅薄膜晶体管处于导通状态,以产生第二电流值,第二电流值用于驱动所述有机发光器件进行像素显示。

进一步地,光敏器件还用于在所述双栅薄膜晶体管处于导通状态时,同步接收第四控制信号以使得所述光敏器件处于正偏状态。

第三方面,本申请提供了一种像素电路,像素电路包括如第一方面描述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件,其中光敏器件间接与有源层电连接;

双栅薄膜晶体管用于经第一栅极和第二栅极同步接收第五控制信号,使得双栅薄膜晶体管处于截止状态;

光敏器件用于在双栅薄膜晶体管处于截止状态的同时,光敏器件接收第二控制信号,使得光敏器件处于反偏状态,此时,光敏器件响应于检测到的光信号,将光信号转换成电荷并积累电荷;

双栅薄膜晶体管还用于经第一栅极接收第三控制信号,第二栅极接收第五控制信号,使得双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态,以导出电荷作为第三电流值,第三电流值用于指纹识别;或者

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