[发明专利]双栅TFT、像素电路及其控制方法有效
申请号: | 201910310959.8 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN109962114B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 刘清召;王国强;黄睿;王利忠;董水浪;卢鑫泓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双栅 tft 像素 电路 及其 控制 方法 | ||
1.一种双栅薄膜晶体管,其设置在衬底上,其特征在于,所述双栅薄膜晶体管还包括:
设置在所述衬底上的有源层;
设置在所述衬底上的第一栅极和第二栅极;
设置在所述衬底上的第一电极、第二电极和第三电极,所述第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与所述有源层电连接,所述第三电极的一侧用于与光敏器件电连接,其中,所述第三电极的另一侧与所述第一栅极或所述第二栅极通过第三通孔电连接;
或者,所述第三电极的另一侧与所述有源层通过第七通孔电连接。
2.一种像素电路,其特征在于,所述像素电路包括如权利要求1所述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件,其中所述光敏器件间接与所述第一栅极或第二栅极电连接;
所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第一控制信号,使得所述双栅薄膜晶体管工作在亚阈值区域;
所述光敏器件用于在所述双栅薄膜晶体管接收所述第一控制信号的同时,同步接收第二控制信号,使得所述光敏器件处于反偏状态;
在所述光敏器件处于反偏状态的时间周期内,所述光敏器件响应于检测到的光信号,将所述光信号转换成电荷以使得所述第一栅极产生偏压,并使得所述双栅薄膜晶体管在所述偏压作用下产生第一电流值,所述第一电流值用于指纹识别;
或者,所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第三控制信号,使得所述双栅薄膜晶体管处于导通状态,以产生第二电流值,所述第二电流值用于驱动所述有机发光器件进行像素显示。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述光敏器件还用于在所述双栅薄膜晶体管处于导通状态时,同步接收第四控制信号以使得所述光敏器件处于正偏状态。
4.一种像素电路,其特征在于,所述像素电路包括如权利要求1所述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件,其中所述光敏器件间接与所述有源层电连接;
所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第五控制信号,使得所述双栅薄膜晶体管处于截止状态;
所述光敏器件用于在所述双栅薄膜晶体管处于截止状态的同时,所述光敏器件接收第二控制信号,使得所述光敏器件处于反偏状态,此时,所述光敏器件响应于检测到的光信号,将所述光信号转换成电荷并积累所述电荷;
所述双栅薄膜晶体管还用于经所述第一栅极接收第三控制信号,所述第二栅极接收所述第五控制信号,使得所述双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态,以导出所述电荷作为第三电流值,所述第三电流值用于指纹识别;或者,
所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收所述第三控制信号,使得所述双栅薄膜晶体管处于导通状态,以产生第四电流值,所述第四电流值用于驱动所述有机发光器件进行像素显示。
5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,
所述光敏器件还用于在所述双栅薄膜晶体管处于所述第一部分导通状态时,同步接收第四控制信号,使得所述光敏器件处于正偏状态。
6.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述双栅晶体管还用于经所述第一栅极接收所述第五控制信号,所述第二栅极接收所述第三控制信号,使得所述双栅薄膜晶体管处于第二部分导通状态,以产生第五电流值,所述第五电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。
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