[发明专利]一种集成电路保护结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910283403.4 申请日: 2019-04-10
公开(公告)号: CN110021573B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 肖金华;范鲁明;彭进;郑祖辉 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/528;H01L23/02;H01L21/768
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种集成电路保护结构及其制作方法,该集成电路保护结构包括至少一圈环状结构,该环状结构包括第一互连层、通孔层及第二互连层,其中,第一互连层包括至少一个导电部;通孔层包括至少一个导电通孔,导电通孔连接于导电部上方,且导电通孔的中心偏离导电部的中心;第二互连层包括至少一条导电线,导电线连接于导电通孔上方。本发明采用不对称设计取代轴对称设计,其中,导电通孔的中心通过横向位移偏离下层导电部的中心,使得导电通孔完全避开或部分避开下层导电部出现孔洞的部位,从而使得导电通孔能够获得有效的填充,有利于密封环、保护环等的高质量和可靠性功能,避免影响后期工艺。此外,采用本发明的方案不会增加额外的工艺成本。
搜索关键词: 一种 集成电路 保护 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种集成电路保护结构,所述集成电路保护结构包括至少一圈环状结构,其特征在于,所述环状结构包括:第一互连层,包括至少一个导电部;通孔层,包括至少一个导电通孔,所述导电通孔连接于所述导电部上方,且所述导电通孔的中心偏离所述导电部的中心;第二互连层,包括至少一条导电线,所述导电线连接于所述导电通孔上方。
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