[发明专利]一种集成电路保护结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种集成电路保护结构及其制作方法，该集成电路保护结构包括至少一圈环状结构，该环状结构包括第一互连层、通孔层及第二互连层，其中，第一互连层包括至少一个导电部；通孔层包括至少一个导电通孔，导电通孔连接于导电部上方，且导电通孔的中心偏离导电部的中心；第二互连层包括至少一条导电线，导电线连接于导电通孔上方。本发明采用不对称设计取代轴对称设计，其中，导电通孔的中心通过横向位移偏离下层导电部的中心，使得导电通孔完全避开或部分避开下层导电部出现孔洞的部位，从而使得导电通孔能够获得有效的填充，有利于密封环、保护环等的高质量和可靠性功能，避免影响后期工艺。此外，采用本发明的方案不会增加额外的工艺成本。

技术领域

本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种集成电路保护结构及其制作方法。

背景技术

对于当前的三维NAND闪存(3D-NAND)技术，有效的密封环(SR)结构可以提供气密密封以隔离湿气并保护模具在切割期间免受机械损坏。用于密封环形成的当前工艺流程可包括光刻、沟槽蚀刻、金属填充和化学机械抛光(CMP)。

密封环的接触阵列(CTA)的高纵横比导致蚀刻和金属填充过程难以控制，容易在密封环的中心形成空隙。密封环的一些接触阵列的空洞将在CMP工艺后曝光，这很容易捕获浆料和化学品，这种副作用会导致密封环无效和产量损失。目前密封环的第零层接触(V0)的设计是落在接触阵列的中心，V0工艺将增强密封环接触阵列空洞并导致密封环的第零层接触遭受钨(W)缺失和凸起，第一层金属(M1)自对准双模(SADP)工艺将遭遇凸点缺陷和多点剥离缺陷，导致位线缺失或桥接。

因此，如何设计一种新的集成电路保护结构及其制作方法，以改善上述问题，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种集成电路保护结构，用于解决现有技术中下层导电部存在的孔洞现象容易导致上层导电通孔填充失败，使得保护结构无效，并影响后续工艺的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种集成电路保护结构，所述集成电路保护结构包括至少一圈环状结构，所述环状结构包括：

第一互连层，包括至少一个导电部；

通孔层，包括至少一个导电通孔，所述导电通孔连接于所述导电部上方，且所述导电通孔的中心偏离所述导电部的中心；

第二互连层，包括至少一条导电线，所述导电线连接于所述导电通孔上方。

可选地，所述导电部包括接触插塞或金属导线。

可选地，所述环状结构包括多层互连层，所述第一互连层与所述第二互连层分别是最底层互连层及次底层互连层，或者所述第一互连层与所述第二互连层分别是最顶层互连层及次顶层互连层，或者所述第一互连层与所述第二互连层分别是位于最底层互连层及最顶层互连层之间的相邻两层所述互连层。

可选地，所述第一互连层包括接触层，所述导电部包括接触插塞，所述通孔层包括零层通孔层，所述导电通孔包括零层导电通孔，所述第二互连层包括第一层金属层，所述导电线包括第一层金属线。

可选地，所述集成电路保护结构包括至少两圈所述环状结构，各所述环状结构由内而外依次排列，其中，各所述环状结构的所述导电通孔均往所述环状结构的内侧方向偏离。

可选地，所述集成电路保护结构包括至少两圈所述环状结构，各所述环状结构由内而外依次排列，其中，各所述环状结构的所述导电通孔均往所述环状结构的外侧方向偏离。

可选地，所述集成电路保护结构包括至少两圈所述环状结构，各所述环状结构由内而外依次排列，其中，至少一所述环状结构的所述导电通孔往所述环状结构的内侧方向偏离，至少一所述环状结构的所述导电通孔往所述环状结构的外侧方向偏离。