[发明专利]一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法

摘要

本发明所提供的一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，该NAND存储器包括：基底以及堆叠层，其中，堆叠层设置在基底的一侧，包括沟道区、包围沟道区的台阶区以及设置在台阶区远离沟道区的一侧的切割区。并且，本方案中堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，并在台阶区和/或切割区内的至少部分氧化物层设置有预设图形的标记。通过在NAND存储器中设置标记，使得该标记能够在台阶区SS制程中作为参照物，因此，金线的连接部分CT与台阶区SS的对准校验OVL均以沟道区CH为参照物，避免了现有技术中由于参照物不一致导致的字线可靠性低的现象。

主权项

1.一种NAND存储器，其特征在于，包括：基底；堆叠层，设置在所述基底的一侧，包括沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区；所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记。