[发明专利]一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法有效
| 申请号： | 201910280272.4 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN109860201B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李思哲;周玉婷;汤召辉;肖莉红;张勇;薛家倩 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/115;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储器 掩膜版 以及 制作方法 | ||
1.一种NAND存储器，其特征在于，包括：
基底；
堆叠层，设置在所述基底的一侧，包括沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区；
所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记；
沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影相互重叠。
2.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，沿字线的延伸方向，所述标记在所述基底上的投影中，任意两个相邻的所述投影之间的间距相等。
3.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，所述第一方向平行于沟道孔的延伸方向。
4.一种掩膜版，其特征在于，用于制作如权利要求1-3中任意一项所述的NAND存储器中的台阶区，所述掩膜版包括：
多个子掩膜，所述子掩膜在所述基底上的投影呈所述预设图形；
沿位线的延伸方向，任意两个相邻的所述子掩膜之间的间距相等。
5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，沿字线的延伸方向，任意两个相邻的所述子掩膜之间的间距相等。
6.一种NAND存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成堆叠层，所述堆叠层被划分成沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区，所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层；
在所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记；
沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影相互重叠，且所述第一方向平行于沟道孔的延伸方向。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，沿字线的延伸方向，所述标记在所述基底上的投影中，任意两个相邻的所述投影之间的间距相等。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
