[发明专利]一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法

说明书

本发明所提供的一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，该NAND存储器包括：基底以及堆叠层，其中，堆叠层设置在基底的一侧，包括沟道区、包围沟道区的台阶区以及设置在台阶区远离沟道区的一侧的切割区。并且，本方案中堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，并在台阶区和/或切割区内的至少部分氧化物层设置有预设图形的标记。通过在NAND存储器中设置标记，使得该标记能够在台阶区SS制程中作为参照物，因此，金线的连接部分CT与台阶区SS的对准校验OVL均以沟道区CH为参照物，避免了现有技术中由于参照物不一致导致的字线可靠性低的现象。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，更具体地说，涉及一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法。

背景技术

NAND存储器在制备过程中，需要对每个工艺步骤形成的各层电路图样进行对准校验(OVL、Overlay)，以保证各电路图样的刻蚀准确性。目前，OVL树的建立采用就近原则，即通过测量后道制程实现对前道制程的校准。

目前，如图1所示，台阶区SS的校准是以基准值0为参照物，沟道区CH的校准同样也是以基准值0为参照物，器件与金线的连接部分CT的校准以沟道区CH为参照物。其中，器件与金线的连接部分CT与台阶区SS的相对位置又决定了字线WL的可靠性。

而发明人发现，沟道区CH在制备过程中，可能会由于压力等因素，导致晶片发生弯曲、扩张等形变。进而会导致器件与金线的连接部分CT与台阶区SS之间的位置关系发生变化，影响字线WL的可靠性。

因此，如何提供一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，能够提高字线WL的可靠性，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种NAND存储器、掩膜版以及制作方法，通过在NAND存储器中设置标记，使得该标记能够在台阶区SS制程中作为参照物，因此，金线的连接部分CT与台阶区SS的对准校验OVL均以沟道区CH为参照物，避免了参照物不一致导致的字线可靠性低的现象。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种NAND存储器，包括：

基底；

堆叠层，设置在所述基底的一侧，包括沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区；

所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述台阶区和/或所述切割区内的至少部分所述氧化物层设置有预设图形的标记。

可选的，沿字线的延伸方向，所述标记在所述基底上的投影中，任意两个相邻的所述投影之间的间距相等。

可选的，沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影相互重叠。

可选的，沿垂直于所述基底的第一方向，所述标记在所述基底上的投影不重叠。

可选的，所述第一方向平行于沟道孔的延伸方向。

一种掩膜版，用于制作任意一项上述的NAND存储器中的台阶区，所述掩膜版包括：

多个子掩膜，所述子掩膜在所述基底上的投影呈所述预设图形。

可选的，沿字线的延伸方向，任意两个相邻的所述子掩膜之间的间距相等。

可选的，沿位线的延伸方向，任意两个相邻的所述子掩膜之间的间距相等。

一种制作方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成堆叠层，所述堆叠层被划分成沟道区、包围所述沟道区的台阶区以及设置在所述台阶区远离所述沟道区的一侧的切割区，所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层；