[发明专利]顶栅自对准金属氧化物半导体TFT及其制作方法、显示面板有效
| 申请号： | 201910275205.3 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110071176B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 余明爵 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT及其制作方法和显示面板，所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT通过新增一超薄金属层，以防止在栅极的化学气相沉积时等离子体对氧化铟镓锌造成的伤害，同时提升器件的迁移率和可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 金属 氧化物 半导体 tft 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT，其特征在于，包括：一有源层、一依次设置于所述有源层上方的栅极绝缘层和栅极，以及一设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的第一阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910275205.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
