[发明专利]顶栅自对准金属氧化物半导体TFT及其制作方法、显示面板

说明书

本发明披露一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT及其制作方法和显示面板，所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT通过新增一超薄金属层，以防止在栅极的化学气相沉积时等离子体对氧化铟镓锌造成的伤害，同时提升器件的迁移率和可靠度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT及其制作方法以及显示面板。

背景技术

现有技术中有机发光显示装置中，每个发光单元均由TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)控制，通过其对应的TFT的导通和截止，控制每个发光单元的工作与否。如图1所示，通常TFT包括栅极103、源极104和漏极105，源极104和漏极105位于同一层，通过有源层101相连，所述栅极103与源极104、漏极105位于不同层，且所述栅极103和有源层101之间具有栅极绝缘层102，在工作时，所述薄膜晶体管的源极104与发光单元的驱动电极(图中未示)连接，漏极105与有机发光显示装置中的数据线(图中未示)电连接，栅极103与有机发光显示装置中的扫描线(图中未示)电连接，通过扫描线中输出的信号控制薄膜晶体管的导通和截止。当薄膜晶体管导通时，薄膜晶体管的漏极105接收与其相连的数据线中的数据信号，并传输至薄膜晶体管的源极104，再通过源极104传输给发光单元的驱动电极，从而控制发光单元的工作。

现有的有机发光显示装置中的驱动电路为了降低寄生电容，驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管会使用顶栅自对准结构，但是在对制备有源层101的过程中，即在氧化铟镓锌(IGZO)图案化后，进行栅极绝缘层102的化学气相沉积时，等离子体会对氧化铟镓锌造成伤害，影响TFT器件特性与可靠性。因此，在栅极绝缘层102的化学气相沉积时，分成两个阶段，第一阶段采用低功耗来减少对氧化铟镓锌的伤害，第二阶段再使用较高功耗。

有鉴于此，如何能够更好地避免对氧化铟镓锌受到等离子体的伤害成为了相关研究者的重要研究课题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT及其制作方法和显示面板，所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT通过新增一超薄金属层，以防止在栅极的化学气相沉积时等离子体对氧化铟镓锌造成的伤害，同时提升器件的迁移率和可靠度。

根据本发明的一方面，本发明提供一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT，其包括：一有源层、一依次设置于所述有源层上方的栅极绝缘层和栅极，以及一设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的第一阻挡层。

在本发明的一实施例中，所述第一阻挡层为金属氧化层；所述金属氧化层的材料为二氧化钛或三氧化钼。

在本发明的一实施例中，所述第一阻挡层的厚度范围为10埃至50埃。

在本发明的一实施例中，所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT还包括：一设置在所述有源层下方的第一基板，所述第一基板包括：一衬底基板、一设置与所述衬底基板上的遮光层、一设置于所述遮光层上且覆盖所述遮光层的缓冲层。

在本发明的一实施例中，所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT还包括：一设置在所述缓冲层上且覆盖所述栅极和所述有源层的层间绝缘层、一设置在所述层间绝缘层上的源极和漏极、一设置在在所述层间绝缘层上且覆盖所述源极和所述漏极的钝化层。

在本发明的一实施例中，所述有源层设置在所述缓冲层上且对应于所述遮光层上方，所述有源层包括：一对应于栅极的沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的一源极接触区和一漏极接触区；所述源极和所述漏极分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区连接。

在本发明的一实施例中，所述层间绝缘层上设有对应于源极接触区和漏极接触区的一第一源极接触孔和一第一漏极接触孔，所述源极和所述漏极分别通过所述第一源极接触孔和所述第一漏极接触孔与所述有源层的源极接触区和漏极接触区连接。