[发明专利]顶栅自对准金属氧化物半导体TFT及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT，其特征在于，包括：一有源层、一依次设置于所述有源层上方的栅极绝缘层和栅极，以及一设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的第一阻挡层；所述栅极绝缘层的材料为氧化硅薄膜和氮化硅薄膜交替层叠设置形成的复合薄膜；所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料；所述第一阻挡层的材料为三氧化钼；所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT还包括：一设置在所述有源层下方的第一基板，所述第一基板包括：一衬底基板、一设置与所述衬底基板上的遮光层、一设置于所述遮光层上且覆盖所述遮光层的缓冲层；所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT还包括：一设置在所述缓冲层上且覆盖所述栅极和所述有源层的层间绝缘层、一设置在所述层间绝缘层上的源极和漏极、一设置在所述层间绝缘层上且覆盖所述源极和所述漏极的钝化层；所述有源层设置在所述缓冲层上且对应于所述遮光层上方，所述有源层包括：一对应于栅极的沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的一源极接触区和一漏极接触区；所述源极和所述漏极分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区连接；所述层间绝缘层和所述第一阻挡层上设有对应于源极接触区和漏极接触区的一第二源极接触孔和一第二漏极接触孔，所述源极和所述漏极分别通过所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔与所述有源层的源极接触区和漏极接触区连接。

2.如权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体TFT，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度范围为10埃至50埃。

3.如权利要求1所述的顶栅自对准金属氧化物半导体TFT，其特征在于，所述顶栅自对准金属氧化物半导体TFT还包括一第二接信号过孔，所述第二接信号过孔设置在所述层间绝缘层、所述第一阻挡层和所述缓冲层上且对应于所述遮光层的上方，所述源极通过所述第二接信号过孔与所述遮光层相连。

4.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至权利要求3中任一所述的顶栅自对准金属氧化物半导体TFT。

5.一种顶栅自对准金属氧化物半导体TFT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成一遮光层，在所述衬底基板上形成一覆盖所述遮光层的缓冲层，在所述缓冲层上形成一对应于所述遮光层上方的有源层；

（2）在所述缓冲层上沉积一覆盖所述有源层的金属层， 并且对所述金属层进行氧化处理，以形成金属氧化层；

（3）在所述金属氧化层上形成一栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积一栅极金属层；

（4）在所述栅极金属层上形成一光阻层，并且对所述光阻层进行图形化处理，以定义出栅极图案；

（5）以所述光阻层为阻挡层，对所述栅极金属层进行刻蚀，以形成对应于有源层上方的栅极；

（6）以所述光阻层和所述栅极为阻挡层，对所述栅极绝缘层进行刻蚀，以形成相应的栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层在有源层上限定出对应所述栅极的沟道区以及分别位于沟道区两侧的一源极接触区和一漏极接触区；

（7）以所述光阻层、所述栅极和所述栅极绝缘层为阻挡层，对金属氧化层和有源层进行导体化处理，在导体化制程结束之后，剥离光阻层；

（8）在所述缓冲层上形成覆盖栅极和有源层的层间绝缘层；在所述层间绝缘层和所述金属氧化层上形成分别对应于所述源极接触区和所述漏极接触区的一第二源极接触孔和一第二漏极接触孔；

（9）在所述层间绝缘层上形成一源极和一漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔与所述源极接触区和所述漏极接触区相连；

（10）在所述层间绝缘层上形成一覆盖源极和漏极的钝化层。