[发明专利]一种Si@SiOx有效

专利信息
申请号: 201910263583.X 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN109888256B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 唐有根;胡婧;王海燕;冯泽 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 袁靖
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种Si@SiOx@氮掺杂TiO2‑δ材料及其制备方法和应用。该材料的制备方法为将两种硅源混合后,高温烧结,加入钛源,在等离子体设备中烧结并掺氮。可通过调控钛源的用量从而调控包覆层,可控性强。该材料包括纳米硅粉以及包覆在其表面的氧化物包覆层,氧化物包覆层形成了两层保护网,减缓了纳米硅的体积膨胀,氮掺杂提高了材料的电导率,增强了材料的电化学性能。制备的最佳材料在200mA g‑1的电流密度循环300圈后,容量仍能保持在650mAh g‑1
搜索关键词: 一种 si sio base sub
【主权项】:
1.一种Si@SiOx@氮掺杂TiO2‑δ材料,其特征在于,是在硅纳米颗粒表面依次包覆有硅氧化物层和钛氧化物层,且钛氧化物层进行氮掺杂,所述的硅氧化物层SiOx,1<x<2;钛氧化物层TiO2‑δ,0<δ<1。
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