[发明专利]金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置在审
| 申请号： | 201910259639.4 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110047735A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置。该金属结构湿制程处理方法包括：对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低腔室内O2或/且CO2含量；在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。本发明实施例中通过对腔室进行抽真空及密封，以及向腔室内充入第一不活泼气体，使腔室内形成正压，降低腔室及溶液中O2含量，使得“氧浓差电池”效应减弱；另一方面降低了CO2含量，使溶液PH值更接近中性，从而减慢腐蚀产物的溶解，达到减弱金属结构电偶腐蚀目的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属结构 湿制程 腔室 室内 显示装置 制备 不活泼气体 湿制程设备 处理基板 腐蚀产物 浓差电池 效应减弱 抽真空 溶液PH 电偶 上喷 正压 减慢 密封 溶解 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述方法包括：对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O2或/且CO2含量；在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
