[发明专利]金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置在审
| 申请号： | 201910259639.4 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110047735A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属结构 湿制程 腔室 室内 显示装置 制备 不活泼气体 湿制程设备 处理基板 腐蚀产物 浓差电池 效应减弱 抽真空 溶液PH 电偶 上喷 正压 减慢 密封 溶解 腐蚀 | ||
1.一种金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述方法包括：
对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O2或/且CO2含量；
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
2.根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O2或/且CO2含量，包括：
对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，降低所述腔室内空气含量，以降低所述腔室内O2和CO2含量。
3.根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O2或/且CO2含量，包括：
向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止喷淋金属结构湿制程的溶液时，空气中的O2和CO2进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。
4.根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体以置换金属结构湿制程的溶液中的O2和CO2，降低O2和CO2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量。
5.根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述腔室内加入气体消除剂，以降低所述腔室内O2或CO2含量。
6.根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，搅拌所述金属结构湿制程的溶液，以加快所述金属结构湿制程的溶液中O2的迁移。
7.根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其特征在于，所述金属结构为内部结构存在电位差异易引起腐蚀的多金属层结构。
8.一种TFT制备方法，其特征在于，所述TFT制备方法包括如权利要求1至7中任一所述的金属结构湿制程处理方法。
9.一种TFT，其特征在于，所述TFT采用如权利要求8所述的TFT制备方法制备得到。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置中包括如权利要求9所述的TFT。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
