[发明专利]金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置

说明书

本发明实施例公开了一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置。该金属结构湿制程处理方法包括：对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低腔室内O₂或/且CO₂含量；在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。本发明实施例中通过对腔室进行抽真空及密封，以及向腔室内充入第一不活泼气体，使腔室内形成正压，降低腔室及溶液中O₂含量，使得“氧浓差电池”效应减弱；另一方面降低了CO₂含量，使溶液PH值更接近中性，从而减慢腐蚀产物的溶解，达到减弱金属结构电偶腐蚀目的。

技术领域

本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置。

背景技术

现今科技蓬勃发展，信息商品种类推陈出新，满足了大众不同的需求。早期显示器多半为阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，由于其体积庞大与耗电量大，而且所产生的辐射对于长时间使用显示器的使用者而言，有危害身体的问题。因此，现今市面上的显示器渐渐将由液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)取代旧有的CRT显示器，而随着尺寸不停的做大，电极导线的延迟成了急需解决的问题，金属结构导线的开发应运而生。

金属结构导线常用于薄膜晶体管中，可作为栅极电极、栅极线、数据线、源极/漏极等。目前，在薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)中，金属结构经常采用多金属层结构，但多金属层结构容易产生一些问题，以CuMu金属结构为例，对现有的CuMo金属结构来说，存在以下问题由于Cu和Mo在电解质溶液中的电势电位差异，不可避免会形成电化学腐蚀，进而产生电偶腐蚀，因为CuMo电偶腐蚀会导致Cu掏空及性能下降现象，Cu掏空会导致药液残留，形成铜离子溶液影响沟道，此外，严重的掏空或性能下降有断膜及产生静电释放ESD(Electro-Static discharge，ESD)风险。

发明内容

本发明实施例提供一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置，降低腔室及溶液中O₂和CO₂的含量，使得“氧浓差电池”效应减弱；另一方面降低CO₂含量，使溶液PH值更接近中性，从而减慢腐蚀产物的溶解，达到减弱金属结构电偶腐蚀目的。

为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种金属结构湿制程处理方法，所述方法包括：

对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O₂或/且CO₂含量；

在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。

进一步的，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O₂或/且CO₂含量，包括：

对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，降低所述腔室内空气含量，以降低所述腔室内O₂和CO₂含量。

进一步的，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O₂或/且CO₂含量，包括：

向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止喷淋金属结构湿制程的溶液时，空气中的O₂和CO₂进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。

进一步的，所述方法还包括：