[发明专利]具有静电力抑制的基板承载装置有效
申请号: | 201910252864.5 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109881184B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 谢文龙;荒见淳一;王卓 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/505 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 陈福昌 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭露一种基板承载装置,包含一盘体,其具有一承载面,该承载面包括承载一基板的复数个凸起。 | ||
搜索关键词: | 具有 静电力 抑制 承载 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板承载装置,其特征在于,包含:一盘体,具有用于承载一基板的一承载面,该承载面上提供有复数个凸起,该等复数个凸起的每一个具有自承载面延伸的一高度及位于顶部且用于接触该基板的一接触面,其中该等复数个凸起的接触面的面积总和为所述基板的总面积的一百分比范围,从0.01%至2.0%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓荆科技股份有限公司,未经拓荆科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910252864.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体晶片
- 下一篇:一种气相沉积反应装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的