[发明专利]具有静电力抑制的基板承载装置

说明书

本发明揭露一种基板承载装置，包含一盘体，其具有一承载面，该承载面包括承载一基板的复数个凸起。

技术领域

本发明关于一种基板承载装置，尤其是关于等离子半导体制造设备中一种具有静电力抑制的基板承载装置。

背景技术

在有等离子体参与的薄膜沉积工艺中，基板被摆放在处理腔体的基板支撑座(即基板承载装置)上，使基板维持在分布有电场的反应区或处理区中。处理气体或反应气体在电场的作用下转换为一等离子体，用于基板上的薄膜沉积。所述电场的分布范围涵盖处理腔体中的各部件，使各部件的表面累积相当的电荷量。例如，基板上会积累电荷，从而与其下方的基座产生相互吸引的静电力。虽然在某些应用中，承载装置被设计成利用静电吸附力稳固被处理的基板，但如果累积电荷量大到使静电力超过一限制范围，从处理腔体的承载装置上移走基板时就可能因不希望的力导致基板偏移传送路径，甚至使基板变形破碎。

过大的静电力在处理期间也是不希望的。若静电力导致基板和承载装置之间的吸引力不平均，可能导致基板变形，连同影响沉积薄膜的质量。再者，于基板转移期间，基板与承载装置之间的静电需要一段时间消除。此也会影响生产的效率。

因此，需要一种所述抑制静电力手段，尤其是能够削弱基板和承载装置之间的静电力，以满足等离子工艺的潜在需求。

发明内容

本发明目的在于提供一种基板承载装置，包含：一盘体，具有用于承载一基板的一承载面，该承载面包括复数个凸起，该等复数个凸起的每一个具有自承载面延伸的一高度及位于顶部且用于接触该基板的一接触面，其中该等复数个凸起的接触面的面积总和为所述基板的总面积的一百分比范围，从0.01％至2.0％。

在一具体实施例中，该盘体还具有一环，包围该承载面，该环具有高于该等复数个凸起的一顶部，且该环具有一滑落面自该环的顶部延伸至该承载面。

在一具体实施例中，所述凸起具有一直径，该直径的范围为0.1mm至5.7mm。

在一具体实施例中，所述凸起具有一直径，该直径为1.6mm。

在一具体实施例中，所述凸起的高度范围为20μm至100μm。

在一具体实施例中，该等复数个凸起的数量选自7至333个的一范围。

在一具体实施例中，该等复数个凸起根据该承载面的一中心所定义的一同心圆轨迹而排列。

在一具体实施例中，该等复数个凸起根据该承载面的一中心所定义的多个半径位置而排列。

在一具体实施例中，该等复数个凸起的任一个、与其相邻的一个以及与前两个相邻的另一个彼此等距离排列。

在一具体实施例中，该等复数个凸起分为一第一数组和包围该第一数组的一第二数组，其中该等复数个凸起的第一数组的任一个、与其相邻的一个以及与前两个相邻的另一个彼此等距离排列，该等复数个凸起的第二数组根据该承载面的一中心所定义的一同心圆轨迹而排列。

在一具体实施例中，该滑落面具有至少一倾斜面。

在一具体实施例中，该滑落面具有一第一倾斜面和一第二倾斜面，该第一倾斜面低于该第二倾斜面，该第一倾斜面与该承载面定义一第一夹角，该第二倾斜面与该承载面定义一第二夹角，该第一夹角小于该第二夹角。

在一具体实施例中，该第一倾斜面的总面积小于该第二倾斜面的总面积。

在一具体实施例中，该第一倾斜面的总面积大于该第二倾斜面的总面积。

在一具体实施例中，该滑落面具有一弧面。

在以下本发明的说明书以及藉由本发明原理所例示的图式当中，将更详细呈现本发明的这些与其他特色和优点。

附图说明