[发明专利]一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201910252857.5 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN111755949B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈康;王金翠;苏建;任夫洋;殷方军 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/34 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市奎文区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，属于半导体激光器制备技术领域，方法包括在外延片的表面腐蚀出脊型结构，将脊型结构以外区域的P限制层和欧姆接触层全部腐蚀，再将窗口区的脊型结构上面的欧姆接触层腐蚀掉，然后在窗口区域除去脊型结构以外四面腐蚀到波导层的区域，利用光刻、腐蚀等方法制备出规则形状的图形，再在脊型发光区域利用PECVD、光刻工艺制备电流注入窗口，最后将制备好的样品经过沉积电极、减薄、合金、封装等工步形成激光器。通过波导层折射率的变化对光斑图形的发散角进行改变，限制了腔面附近光的吸收，有效提高大功率半导体激光器的COD阈值，同时约束了发散角，提高了光斑质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 对称 注入 窗口 gaas 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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