[发明专利]一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法

权利要求书

1.一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，激光器包括外延片，外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、P限制层和欧姆接触层，其特征在于，制备包括步骤如下：

步骤(1)、在外延片的上表面腐蚀出脊型结构，所述的脊型结构以外的区域均腐蚀到上波导层，脊型结构保留至欧姆接触层；所述的脊型结构位于外延片的中心位置，或者所述的脊型结构位于偏向外延片的一边；

步骤(2)、将脊型结构分为脊型发光区域和窗口区，窗口区位于脊型发光区域的两端，通过光刻、腐蚀将窗口区的脊型结构上面的欧姆接触层腐蚀掉，保留窗口区脊型结构的P限制层；

步骤(3)、在窗口区两侧的脊型结构以外腐蚀到上波导层的区域，利用光刻、腐蚀制备出规则排列的图形；图形为任意形状、在波导层上面形成高度差的图形；

步骤(4)、利用PECVD进行镀膜；利用光刻工艺在脊型结构上方制备电流注入窗口；

步骤(5)、将制备好的样品再经过沉积电极、减薄、合金、封装工步形成激光器。

2.根据权利要求1所述的具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的脊型结构贯穿外延片的整个腔长。

3.根据权利要求1所述的具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，图形包括平面几何图形中的任意一种，平面几何图形包括圆形、椭圆形、扇形、三角形、四边形、五边形、六边形、多边形、弓形、多弧形。

4.根据权利要求1所述的具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中的图形的深度不超过上波导层厚度的1/2。

5.根据权利要求1所述的具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所镀的膜为SiO₂介质膜，SiO₂介质膜的厚度为800Å-2000Å。

6.根据权利要求5所述的具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中SiO₂介质膜的厚度为1500Å-2000Å。