[发明专利]一种三维存储器及其编程操作方法

摘要

本申请提供的三维存储器及其编程操作方法，应用于包括多个存储模块堆叠的三维存储器，通过将位于当前编程存储模块下方的某一多层中间冗余层中最下方的中间冗余层的阈值电压编程到小于阈值电压，使该中间冗余层关断。这样就确保耦合电势只发生在该中间冗余层上方，使得原来全局耦合电势的情况变为局部耦合电势。从而能够通过减小沟道耦合有效长度使耦合电势升高，减小编程电压干扰；同时，由于实现了局部耦合电势，关断的中间冗余层下方的存储层的沟道导通电压可以相对于第一沟道导通电压减小，进而减小导通电压干扰。

主权项

1.一种三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述三维存储器包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上沿背离所述半导体衬底的方向上自下而上依次堆叠设置的多个存储模块，每个存储模块包括多个层叠设置的存储层；相邻两个存储模块之间设置有多层中间冗余层；所述编程操作方法包括：在对最下方存储模块进行编程时，为最下方编程存储层施加编程电压，为最下方存储模块的其他存储层施加第一沟道导通电压；在完成最下方存储模块的编程后，对当前编程存储模块中的存储层进行编程时，为当前编程存储层施加编程电压，为该模块其他存储层施加第二沟道导通电压；为位于该当前编程存储模块下方的任意相邻两个存储模块之间的多层中间冗余层自上而下施加渐变电压，使得该多层中间冗余层的最下方中间冗余层的电压小于该中间冗余层的阈值电压，以关断沟道，使得在所述三维存储器中形成局部耦合电势；为位于所述最下方中间冗余层下方的所有层施加第三沟道导通电压，所述第三沟道导通电压小于所述第一沟道导通电压。