[发明专利]一种三维存储器及其编程操作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述三维存储器包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上沿背离所述半导体衬底的方向上自下而上依次堆叠设置的多个存储模块，每个存储模块包括多个层叠设置的存储层；相邻两个存储模块之间设置有多层中间冗余层；

所述编程操作方法包括：

在对最下方存储模块进行编程时，为最下方编程存储层施加编程电压，为最下方存储模块的其他存储层施加第一沟道导通电压；

在完成最下方存储模块的编程后，对当前编程存储模块中的存储层进行编程时，为当前编程存储层施加编程电压，为该模块其他存储层施加第二沟道导通电压；

为位于该当前编程存储模块下方的任意多层中间冗余层自上而下施加渐变电压，使得该多层中间冗余层的最下方中间冗余层的电压小于该中间冗余层的阈值电压，以关断沟道，使得在所述三维存储器中形成局部耦合电势；

为位于所述最下方中间冗余层下方的所有层施加第三沟道导通电压，所述第三沟道导通电压小于所述第一沟道导通电压。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述为位于该当前编程存储模块下方的任意多层中间冗余层自上而下施加渐变电压，使得该多层中间冗余层的最下方中间冗余层的电压小于该中间冗余层的阈值电压，以关断沟道；具体包括：

为位于该当前编程存储模块下方，且与所述该当前编程存储模块相邻的多层中间冗余层自上而下施加渐变电压，使得该多层中间冗余层的最下方中间冗余层电压小于该中间冗余层的阈值电压，以关断沟道。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述为位于该当前编程存储模块下方的任意多层中间冗余层自上而下施加渐变电压，使得该多层中间冗余层的最下方中间冗余层的电压小于该中间冗余层的阈值电压，以关断沟道；具体包括：

为位于该当前编程存储模块下方，且与所述该当前编程存储模块之间还间隔至少一个所述存储模块的多层中间冗余层自上而下施加渐变电压，使得该多层中间冗余层的最下方中间冗余层电压小于该中间冗余层的阈值电压，以关断沟道。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的编程操作方法，其特征在于，还包括为位于当前编程存储模块下方，且位于施加了渐变电压的多层中间冗余层上方的存储模块施加第四沟道导通电压。

5.根据权利要求1所述的三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述最下方中间冗余层的电压为0V。

6.根据权利要求1所述的三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述为位于所述最下方中间冗余层下方的所有层施加第二沟道导通电压，所述第二沟道导通电压为0V。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述渐变电压为递减电压，相邻两层所述中间冗余层之间的电压差相同。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的三维存储器的编程操作方法，其特征在于，所述渐变电压为非递减电压，相邻两层所述中间冗余层之间的电压差不相同。