[发明专利]非易失性存储器器件及其制造方法

摘要

提供了一种用于制造非易失性存储器器件的方法。该方法包括：同时形成沟道孔和第一接触孔若干次，以实现期望的高深宽比。

主权项

1.一种用于制造非易失性存储器器件的方法，所述方法包括：/n设置外围电路区域，所述外围电路区域包括下衬底上的外围晶体管以及与所述外围晶体管电连接的下连接布线；/n在所述外围电路区域上的上衬底上形成第一模制层，在所述第一模制层中，第一牺牲层和第二牺牲层交替堆叠；/n在所述外围电路区域上的基层上形成第二模制层；/n形成第一沟道孔，所述第一沟道孔穿透所述第一模制层以暴露所述上衬底；/n形成第一接触孔，所述第一接触孔穿透所述第二模制层和所述基层，并且延伸到所述外围电路区域的内部以暴露所述下连接布线；/n在所述第一沟道孔中形成垂直于所述上衬底延伸的沟道；/n用接触材料填充所述第一接触孔以形成接触件；/n形成沟槽，所述沟槽与所述沟道间隔开并穿透所述第一模制层以暴露所述上衬底；/n去除由所述沟槽暴露的且在所述沟道与所述沟槽之间的所述第二牺牲层以形成凹陷；以及/n在所述凹陷上形成栅电极，/n其中，所述第一沟道孔和所述第一接触孔同时形成。/n