[发明专利]非易失性存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造非易失性存储器器件的方法，所述方法包括：

设置外围电路区域，所述外围电路区域包括下衬底上的外围晶体管以及与所述外围晶体管电连接的下连接布线；

在所述外围电路区域上的上衬底上形成第一模制层，在所述第一模制层中，第一牺牲层和第二牺牲层交替堆叠；

在所述外围电路区域上的基层上形成第二模制层；

形成第一沟道孔，所述第一沟道孔穿透所述第一模制层以暴露所述上衬底；

形成第一接触孔，所述第一接触孔穿透所述第二模制层和所述基层，并且延伸到所述外围电路区域的内部以暴露所述下连接布线；

在所述第一沟道孔中形成垂直于所述上衬底延伸的沟道；

用接触材料填充所述第一接触孔以形成接触件；

形成沟槽，所述沟槽与所述沟道间隔开并穿透所述第一模制层以暴露所述上衬底；

去除由所述沟槽暴露的且在所述沟道与所述沟槽之间的所述第二牺牲层以形成凹陷；以及

在所述凹陷上形成栅电极，

其中，所述第一沟道孔和所述第一接触孔同时形成。

2.根据权利要求1所述的用于制造非易失性存储器器件的方法，其中，所述基层是所述上衬底的一部分，

所述第二模制层是所述第一模制层的一部分，并且

所述接触件形成为与所述沟道间隔开。

3.根据权利要求1所述的用于制造非易失性存储器器件的方法，其中，所述基层是所述上衬底的一部分，

所述第二模制层是所述第一模制层的一部分，

在所述第二模制层上进一步形成绝缘层，并且

所述接触件穿透所述绝缘层和作为所述第一模制层的一部分的所述第二模制层。

4.根据权利要求1所述的用于制造非易失性存储器器件的方法，还包括：

在形成所述第一沟道孔和所述第一接触孔之后：

用第一牺牲沟道材料填充所述第一沟道孔；

用第一牺牲接触材料填充所述第一接触孔；

在所述第一牺牲沟道材料上形成第三模制层，在所述第三模制层中，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层交替堆叠；

在所述第一牺牲接触材料上形成第四模制层；

形成第二沟道孔，所述第二沟道孔穿透所述第三模制层以暴露所述第一牺牲沟道材料；以及

形成第二接触孔，所述第二接触孔穿透所述第四模制层以暴露所述第一牺牲接触材料，

其中，形成所述沟道包括：去除所述第一牺牲沟道材料，并且在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成所述沟道，并且

所述第二沟道孔和所述第二接触孔同时形成。

5.根据权利要求4所述的用于制造非易失性存储器器件的方法，还包括：

在形成所述第二沟道孔和所述第二接触孔之后，在形成所述沟道之前：

用第二牺牲沟道材料填充所述第二沟道孔，并且用第二牺牲接触材料填充所述第二接触孔；

在所述第二牺牲沟道材料上形成第五模制层，在所述第五模制层中，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层交替堆叠；

在所述第二牺牲接触材料上形成第六模制层；

形成第三沟道孔，所述第三沟道孔穿透所述第五模制层以暴露所述第二牺牲沟道材料；以及

形成第三接触孔，所述第三接触孔穿透所述第六模制层以暴露所述第二牺牲接触材料，

其中，形成所述沟道包括：去除所述第二牺牲沟道材料，并且在所述第三沟道孔中形成所述沟道，并且

所述第三沟道孔和所述第三接触孔同时形成。

6.根据权利要求4所述的用于制造非易失性存储器器件的方法，其中，所述沟道包括第一沟道部以及所述第一沟道部上的第二沟道部，

在所述第一沟道部与所述第二沟道部之间的第一边界处，所述第一沟道部的宽度不同于所述第二沟道部的宽度，

所述接触件包括第一接触部以及所述第一接触部上的第二接触部，

在所述第一接触部与所述第二接触部之间的第二边界处，所述第一接触部的宽度不同于所述第二接触部的宽度，并且

所述第一边界和所述第二边界位于同一平面上。