[发明专利]动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质有效
| 申请号： | 201910232073.6 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110018789B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 马越;冯元元;周晨杰;周强 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质，方法包括：下发读写描述符；通过定时器统计对应的读写时间；判断读写操作是否正常完成；若未正常完成，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；若正常完成，计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求；在满足要求时，执行下发读写描述符步骤；在不满足要求时，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器。本方案通过获取实际的读写时间，然后更加准确的动态适配NAND的Tr和Tprom时间，使得不会出现NAND因环境原因产生的Tr和Tprom时间的改变，而导致的SSD读写性能下降的情况，提高了NAND的利用率，有效提升了SSD的读写性能。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 nand tr tprom 时间 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法，其特征在于，包括以下步骤：下发读写描述符；通过定时器统计对应的读写时间；判断读写操作是否正常完成；若未正常完成，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；若正常完成，计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求；在满足要求时，执行下发读写描述符步骤；在不满足要求时，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器。
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