[发明专利]动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质

权利要求书

1.一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法，其特征在于，包括以下步骤：

下发读写描述符；

通过定时器统计对应的读写时间；

判断读写操作是否正常完成；

若未正常完成，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；

若正常完成，计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求；

在满足要求时，执行下发读写描述符步骤；

在不满足要求时，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；

所述动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器步骤，包括，

获取定时器实时统计的读写时间；

将读写时间作为适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器中；

所述Tr时间是指数据从NAND存储单元的内部读出到cache寄存器的读取时间，所述Tprom时间是指数据从cache缓存寄存器到NAND存储单元的内部写入时间。

2.如权利要求1所述的动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法，其特征在于，所述通过定时器统计对应的读写时间步骤，包括，

在发送读写描述符的同时，开始定时器计时；

在读写描述符触发NFC的R/B中断时，停止定时器计时，得到读写时间。

3.如权利要求1所述的动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法，其特征在于，所述计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求步骤，包括，

将获取到的读写时间与基准值相减得到实际偏差值；

将实际偏差值与预设偏差范围相比较，确定偏差是否满足要求。

4.一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的装置，其特征在于，包括，

下发单元，用于下发读写描述符；

计时单元，用于通过定时器统计对应的读写时间；

完成判断单元，用于判断读写操作是否正常完成；

动态适配单元，在读写操作未正常完成时，用于动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；

偏差判断单元，用于若读写操作正常完成，计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求，在满足要求时，执行下发单元；在不满足要求时，执行动态适配单元；

所述动态适配单元包括时间获取模块和时间适配模块，

所述时间获取模块，用于获取定时器实时统计的读写时间；

所述时间适配模块，用于将读写时间作为适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器中。

5.如权利要求4所述的动态适配NAND的Tr和Tprom时间的装置，其特征在于，所述计时单元包括开始计时模块和停止计时模块，

所述开始计时模块，用于在发送读写描述符的同时，开始定时器计时；

所述停止计时模块，用于在读写描述符触发NFC的R/B中断时，停止定时器计时，得到读写时间。

6.如权利要求4所述的动态适配NAND的Tr和Tprom时间的装置，其特征在于，所述偏差判断单元包括偏差计算模块和偏差比较模块，

所述偏差计算模块，用于将获取到的读写时间与基准值相减得到实际偏差值；

所述偏差比较模块，用于将实际偏差值与预设偏差范围相比较，确定偏差是否满足要求。

7.一种非临时性计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-3中任一项所述的动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法。

8.一种固态硬盘动态适配NAND Tr和Tprom时间的系统，其特征在于，包括服务器，人工智能设备；其中，所述服务器包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的用于实现如权利要求1-3中任一项所述的动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法的程序。