[发明专利]动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质

说明书

本发明公开了一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质，方法包括：下发读写描述符；通过定时器统计对应的读写时间；判断读写操作是否正常完成；若未正常完成，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；若正常完成，计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求；在满足要求时，执行下发读写描述符步骤；在不满足要求时，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器。本方案通过获取实际的读写时间，然后更加准确的动态适配NAND的Tr和Tprom时间，使得不会出现NAND因环境原因产生的Tr和Tprom时间的改变，而导致的SSD读写性能下降的情况，提高了NAND的利用率，有效提升了SSD的读写性能。

技术领域

本发明涉及到固态硬盘数据读写领域，特别是涉及到一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质。

背景技术

NAND是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。NAND分为两个部分，一部分为cache缓存寄存器，另一部分为存储单元。当需要写入或读出数据时，都需要将数据先放入cache缓存寄存器中，再搬入NAND中。

因为NAND本身的特性，Tr和Tprom时间可能会根据环境因素改变而改变，设定特定的适配时间并不能实时适配。当设定的适配时间大于Tr或Tprom时间很多时，会影响SSD读写周期时间，从而影响SSD性能。当设定的适配时间小于Tr或Tprom时间时，容易产生查询不到NAND状态的情况，严重时会导致数据传输错误。

现有的技术方案是获取到NAND的Tr和Tprom时间后，再通过软件手动配置硬件等待NAND的Tr和Tprom时间，以达到适配的效果。但是，通过软件手动适配NAND的Tr和Tprom时间存在着许多安全隐患，且操作过于复杂。

因此，有必要根据实际的Tr和Tprom时间来动态调整适配时间，保证固态硬盘读写性能。

发明内容

为了解决上述现有技术的缺陷，本发明的目的是提供一种动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质，动态适配Tr和Tprom时间，提升固态硬盘的读写效率。

为达到上述目的，本发明的技术方案是：

本发明提出来一种固态硬盘动态适配NAND Tr和Tprom时间的方法，其特征在于，包括以下步骤：

下发读写描述符；

通过定时器统计对应的读写时间；

判断读写操作是否正常完成；

若未正常完成，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器；

若正常完成，计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求；

在满足要求时，执行下发读写描述符步骤；

在不满足要求时，则动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器。

进一步地，所述动态计算适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器步骤，包括，

获取定时器实时统计的读写时间；

将读写时间作为适配时间，并将适配时间配置到等待寄存器中。

进一步地，所述通过定时器统计对应的读写时间步骤，包括，

在发送读写描述符的同时，开始定时器计时；

在读写描述符触发NFC的R/B中断时，停止定时器计时，得到读写时间。

进一步地，所述计算读写时间与基准值的偏差是否满足要求步骤，包括，

将获取到的读写时间与基准值相减得到实际偏差值；