[发明专利]优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备在审
| 申请号： | 201910221399.9 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN111725091A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 金晨;韩彬;李建银 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备。包括：步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130；步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S130；若否，执行步骤S140；步骤S130、顺次执行下一工艺步骤；步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，执行步骤S150；若否，执行步骤S160；步骤S150、输出起辉失败报警信号；步骤S160、将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 工艺流程 方法 装置 存储 介质 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
