[发明专利]优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备

说明书

本发明公开了一种优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备。包括：步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130；步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S130；若否，执行步骤S140；步骤S130、顺次执行下一工艺步骤；步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，执行步骤S150；若否，执行步骤S160；步骤S150、输出起辉失败报警信号；步骤S160、将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。在存在偶发性的起辉失败现象时，用户不必干预，从而可以使得工艺流程的时效性较强、可操作性提高，保证工艺流程可以正常进行，提高产能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种优化工艺流程的方法、一种优化工艺流程的装置、一种计算机可读存储介质以及一种半导体处理设备。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发，并使蒸发物质与气体均发生电离起辉，在电场的加速作用下，被蒸发物质及其反应产物会沉积在工件(一般为晶圆)上。此技术已广泛应用于集成电路(Integrated Circuit，IC)、发光二极管(Light-emitting Diode，LED)、光伏、平板显示等领域。

由于硬件异常或者腔室环境不稳定，会偶发出现起辉失败的现象。起辉失败需要工艺工程师重新执行工艺，影响产能，甚至对于某些敏感工艺直接导致晶圆工艺镀膜变薄，因此起辉失败也成为PVD工艺中必须正视的问题。

相关技术中，当出现起辉失败时，工艺会被迫终止，通过用户恢复的方式重新执行起辉工艺。显然，在该相关技术中，在出现起辉失败时，需要用户介入，时效性和操作性较差，对于某些特殊工艺甚至会由于长时间未执行恢复而影响工艺。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种优化工艺流程的方法、一种优化工艺流程的装置、一种计算机可读存储介质以及一种半导体处理设备。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种优化工艺流程的方法，所述工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤，所述方法包括：

步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，若是，执行步骤S120；若否，执行步骤S130；

步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功，若是，执行步骤S130；若否，执行步骤S140；

步骤S130、顺次执行下一工艺步骤；

步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值，若是，执行步骤S150；若否，执行步骤S160；

步骤S150、输出起辉失败报警信号；

步骤S160、将工艺步骤计数器减1，并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值，重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。

可选地，所述判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，具体包括：

获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值；

根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。

可选地，工艺参数为溅射功率，所述根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值，判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤，具体包括：

当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围时，判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。

可选地，所述预定范围为[200W，1000W]。