[发明专利]优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备在审
| 申请号: | 201910221399.9 | 申请日: | 2019-03-22 | 
| 公开(公告)号: | CN111725091A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 | 
| 发明(设计)人: | 金晨;韩彬;李建银 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 | 
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 | 
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 优化 工艺流程 方法 装置 存储 介质 半导体 处理 设备 | ||
1.一种优化工艺流程的方法,所述工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤,其特征在于,所述方法包括:
步骤S110、判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤,若是,执行步骤S120;若否,执行步骤S130;
步骤S120、判断当前工艺步骤是否起辉成功,若是,执行步骤S130;若否,执行步骤S140;
步骤S130、顺次执行下一工艺步骤;
步骤S140、判断起辉失败次数是否超出报警阈值,若是,执行步骤S150;若否,执行步骤S160;
步骤S150、输出起辉失败报警信号;
步骤S160、将工艺步骤计数器减1,并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值,重复执行当前工艺步骤并返回步骤S110。
2.根据权利要求1所述的优化工艺流程的方法,其特征在于,所述判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤,具体包括:
获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值;
根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值,判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
3.根据权利要求2所述的优化工艺流程的方法,其特征在于,工艺参数为溅射功率,所述根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值,判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤,具体包括:
当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围时,判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
4.根据权利要求3所述的优化工艺流程的方法,其特征在于,所述预定范围为[200W,1000W]。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的优化工艺流程的方法,其特征在于,所述判断当前工艺步骤是否起辉成功,具体包括:
加载溅射功率;
在预设时间后,获取当前工艺步骤所输出的实际溅射功率值,并根据所述实际溅射功率值确定当前工艺步骤是否起辉成功。
6.根据权利要求5所述的优化工艺流程的方法,其特征在于,当实际溅射功率值大于当前预设溅射功率值的85%时,判定起辉成功。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的优化工艺流程的方法,其特征在于,所述改变当前工艺步骤的起辉影响因子值,具体为增大当前工艺步骤的工艺气体流量值。
8.一种优化工艺流程的装置,所述工艺流程包括顺次执行若干工艺步骤,其特征在于,所述装置包括:
第一判断模块,用于判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤,若是,发出点火信号;若否,发出非点火信号;
第二判断模块,用于在接收到所述点火信号时判断当前工艺步骤是否起辉成功,若是,发出起辉成功信号;若否,发出起辉临时失败信号;
执行模块,用于在接收到所述非点火信号或所述起辉成功信号时顺次执行下一工艺步骤;
第三判断模块,用于在接收到所述起辉临时失败信号时判断起辉失败次数是否超出报警阈值,若是,发出起辉永久失败信号;若否,发出起辉补救信号;
报警模块,用于在接收到所述起辉永久失败信号时输出起辉失败报警信号;
参数设定模块,用于在接收到所述起辉补救信号时将工艺步骤计数器减1,并改变当前工艺步骤的起辉影响因子值,之后发出重复执行信号;
所述执行模块,还用于在接收到所述重复执行信号时重复执行当前工艺步骤。
9.根据权利要求8所述的优化工艺流程的装置,其特征在于,所述第一判断模块包括:
第一获取子模块,用于获取当前工艺步骤的当前预设工艺参数值和前一工艺步骤的前一预设工艺参数值;
第一判断子模块,用于根据所述当前预设工艺参数值和前一预设工艺参数值,判断当前工艺步骤是否为点火工艺步骤。
10.根据权利要求9所述的优化工艺流程的装置,其特征在于,工艺参数为溅射功率,所述第一判断子模块,具体用于:
当前一预设溅射功率值为零以及当前预设溅射功率值满足预定范围时,判定当前工艺步骤为点火工艺步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





