[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201910214175.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109873037A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 任艳伟;石天雷;唐乌力吉白尔;徐敬义;于亚楠;孙超超;刘敏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的薄膜晶体管包括：基底，设置在所述基底上的栅极和有源层，以及设置在所述栅极和有源层之间的层间绝缘层；在所述栅绝缘层和所述基底之间设置有平坦层，所述平坦层与所述栅极紧密接触，且所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 平坦层 基底 显示装置 上表面 源层 制备 层间绝缘层 栅绝缘层 平齐 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底，设置在所述基底上的栅极和有源层，以及设置在所述栅极和有源层之间的栅绝缘层；在所述栅绝缘层和所述基底之间设置有平坦层，所述平坦层与所述栅极紧密接触，且所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。
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