[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201910214175.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109873037A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 任艳伟;石天雷;唐乌力吉白尔;徐敬义;于亚楠;孙超超;刘敏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 平坦层 基底 显示装置 上表面 源层 制备 层间绝缘层 栅绝缘层 平齐 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底，设置在所述基底上的栅极和有源层，以及设置在所述栅极和有源层之间的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层和所述基底之间设置有平坦层，所述平坦层与所述栅极紧密接触，且所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述平坦层的材料包括丙烯酸、透明树脂。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度包括
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料包括低温多晶硅。
5.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成栅极和平坦层，其中，所述平坦层与所述栅极紧密接触，且所述平坦层的上表面和所述栅极的上表面平齐；
形成栅绝缘层；
形成有源层。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成栅极和平坦层的步骤，包括：
在基底上，通过构图工艺形成包括栅极的图形；
在形成有所述栅极的基底上，通过流平工艺形成平坦层，以使所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成栅极和平坦层的步骤，包括：
在基底上，通过构图工艺形成包括栅极的图形；
在形成有所述栅极的基底上，通过构图工艺形成包括平坦层，以使所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成栅极和平坦层的步骤，包括：
在基底上通过构图工艺形成包括平坦层的图形；其中，平坦层中形成有容纳部；
在形成有所述容纳部的所述平坦层上形成栅极，且所述栅极填充在所述容纳部中，以使所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成有源层的步骤包括：
形成半导体有源材料层，通过构图工艺形成包括有源层；
对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子注入。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4中任一所述的薄膜晶体管。
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