[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的薄膜晶体管包括：基底，设置在所述基底上的栅极和有源层，以及设置在所述栅极和有源层之间的层间绝缘层；在所述栅绝缘层和所述基底之间设置有平坦层，所述平坦层与所述栅极紧密接触，且所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。

背景技术

在传统的底栅型薄膜晶体管的制备工艺中，薄膜晶体管的栅极形成在玻璃基底上之后，直接在该玻璃基底上依次形成薄膜晶体管的其它膜层。此时，很容易理解的是，形成在玻璃基底上的栅极相对于玻璃基底本身而言，是一个向上凸起的结构，这样一来，依次形成在该凸起结构(即栅极)上的薄膜晶体管的其它膜层(例如：薄膜晶体管的有源层)也有可能发生变形凸起，从而导致薄膜晶体管在进行工作时，有源层中的载流子迁移受阻，进而大大降低薄膜晶体管的性能。

为解决上述问题，本发明提供了一种新的薄膜晶体管的制备方法。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种具有较佳性能的薄膜晶体管、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，包括：基底，设置在所述基底上的栅极和有源层，以及设置在所述栅极和有源层之间的层间绝缘层；

在所述栅绝缘层和所述基底之间设置有平坦层，所述平坦层与所述栅极紧密接触，且所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。

优选的是，所述平坦层的材料包括丙烯酸、透明树脂。

优选的是，所述栅绝缘层的厚度包括2000A～5000A。

优选的是，所述有源层的材料包括低温多晶硅。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基底上形成栅极和平坦层，其中，所述平坦层与所述栅极紧密接触，且所述平坦层的上表面和所述栅极的上表面平齐；

形成栅绝缘层；

形成有源层。

优选的是，所述形成栅极和平坦层的步骤，包括：

在基底上，通过构图工艺形成包括栅极的图形；

在形成有所述栅极的基底上，通过流平工艺形成平坦层，以使所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。优选的是，

所述形成栅极和平坦层的步骤，包括：

在基底上，通过构图工艺形成包括栅极的图形；

在形成有所述栅极的基底上，通过构图工艺形成包括平坦层，以使所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。

优选的是，所述形成栅极和平坦层的步骤，包括：

在基底上通过构图工艺形成包括平坦层的图形；其中，平坦层中形成有容纳部；

在形成有所述容纳部的所述平坦层上形成栅极，且所述栅极填充在所述容纳部中，以使所述平坦层的上表面与所述栅极的上表面平齐。

优选的是，所述形成有源层的步骤包括：

形成半导体有源材料层，通过构图工艺形成包括有源层；

对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子注入。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述任意一种薄膜晶体管。

附图说明