[发明专利]一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用在审
| 申请号： | 201910205393.2 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109761206A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 邹艺峰;贾再辉;崔巍;孙思源;成会明 | 申请（专利权）人： | 青岛瓷兴新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C08L63/00;C08L83/04;C08K9/06;C08K7/18;C09K5/14 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 聂稻波 |
| 地址： | 266200 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体，该氮化硅粉体球形度在0.5‑0.99之间、Al杂质含量<500ppm、粒度范围在0.5μm–50μm之间该β氮化硅粉体可作为电子封装材料的填充料，尤其适用于高热导超高频和极高频电子封装材料，例如新兴的5G通信领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅粉体 电子封装材料 类球形 低铝 高纯 超高频 通信领域 极高频 球形度 填充料 高热 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种低铝类球形β氮化硅粉体，其特征在于，所述氮化硅粉体球形度在0.5‑0.99之间、Al杂质含量<500ppm、粒度范围在0.5μm–50μm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛瓷兴新材料有限公司，未经青岛瓷兴新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910205393.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
