[发明专利]一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用

说明书

一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体，该氮化硅粉体球形度在0.5‑0.99之间、Al杂质含量<500ppm、粒度范围在0.5μm–50μm之间该β氮化硅粉体可作为电子封装材料的填充料，尤其适用于高热导超高频和极高频电子封装材料，例如新兴的5G通信领域。

技术领域

本发明涉及一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体，可作为电子封装材料的填充料，尤其适用于高热导超高频和极高频电子封装材料，例如新兴的5G通信领域，属于电子封装领域。

背景技术

随着现代微电子技术的快速进步，电子产品及其器件正在逐渐向着小型化、高集成化和高功率化的方向发展，这在带来强大使用功能的同时，也导致功耗和发热量的持续增加。数据指出，对于大多数电子器件，其使用温度不能高于80℃；在这一温度之上，温度每升高10℃，可靠性就会降低一半；而系统过热而引起的芯片失效占芯片失效原因的50％以上，可见芯片散热问题已经成为制约电子产品进一步发展的瓶颈问题。

发明内容

本发明的一个方面提供一种高纯低铝类球形β氮化硅粉体，所述氮化硅粉体球形度在0.5-0.99之间、Al杂质含量<500ppm、粒度范围在0.5μm–50μm之间。

根据本发明的一个方面，所述氮化硅粉体球形度在0.85-0.99之间、Al杂质含量<450ppm、粒度范围在0.5μm–50μm之间。

根据本发明的一个方面，所述氮化硅粉体球形度在0.90-0.99之间、Al杂质含量<400ppm、粒度范围在0.5μm–50μm之间。

根据本发明的一个方面，所述氮化硅粉体由粒度较大的大颗粒和粒度较小的小颗粒组成，其中所述大颗粒的粒度范围在10μm–50μm之间，所述小颗粒的粒度范围在0.5μm–10μm之间，所述大颗粒与所述小颗粒质量比为2-8：1；

根据本发明的一个方面，所述大颗粒的粒度范围在12μm–40μm之间，所述小颗粒的粒度范围在1μm–8μm之间，所述大颗粒与所述小颗粒质量比为3-7：1；

根据本发明的一个方面，所述大颗粒的粒度范围在15μm–30μm之间，所述小颗粒的粒度范围在2μm–5μm之间，所述大颗粒与所述小颗粒质量比为3-5：1；

根据本发明的一个方面，所述大颗粒的粒度为在20μm，所述小颗粒的粒度为3.2μm，所述大颗粒与所述小颗粒质量比为4：1。

根据本发明的一个方面，所述氮化硅粉体由粒度较大的大颗粒、粒度中等的中颗粒和粒度较小的小颗粒组成，其中所述大颗粒的粒度范围在10μm–50μm之间，所述中颗粒的粒度范围在1.5μm–10μm之间，所述小颗粒的粒度范围在0.5μm–1.5μm之间，所述大颗粒、所述中颗粒与所述小颗粒质量比为12-18：2-6：1；

根据本发明的一个方面，所述大颗粒的粒度范围在15μm–40μm之间，所述中颗粒的粒度范围在1.8μm–8μm之间，所述小颗粒的粒度范围在0.5μm–1.2μm之间，所述大颗粒、所述中颗粒与所述小颗粒质量比为12-16：2-5：1；

根据本发明的一个方面，所述大颗粒的粒度范围在18μm–25μm之间，所述中颗粒的粒度范围在2μm–6μm之间，所述小颗粒的粒度范围在0.5μm–1.0μm之间，所述大颗粒、所述中颗粒与所述小颗粒质量比为13-16：2-4.4：1；

根据本发明的一个方面，所述大颗粒的粒度为20μm，所述中颗粒的粒度为3.2μm，所述小颗粒的粒度为0.55μm，所述大颗粒、所述中颗粒与所述小颗粒质量比为15：4：1。

本发明的一个方面提供一种组合物，包括如上所述的氮化硅粉体和二氧化硅粉体，其中，所述二氧化硅粉体粒度在10nm-50μm之间，铝含量在500ppm以下，所述氮化硅粉体与所述二氧化硅粉体的质量比为1-10：1。