[发明专利]一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺在审
| 申请号： | 201910203863.1 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109817563A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 周治华 | 申请（专利权）人： | 昆山福烨电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;C04B35/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺。本发明的三层陶瓷厚膜电路的生产工艺包括以下步骤：1)以玻璃相材料和氧化铝粉为原料进行混合配料；2)将步骤1)混合后的物料制基片；3)在步骤2)得到的基片上打孔、填孔；4)在步骤3)填孔后的基片在三个面上进行印刷线路、干燥、叠片、静压、排胶烧结，得到所述三层陶瓷厚膜电路。本发明的三层陶瓷厚膜电路的生产工艺，烧结温度低，更容易实现多层产品的制造和提高产品性能与良品率，可印刷电阻和电容，拓宽了陶瓷厚膜电路的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷厚膜电路 三层 生产工艺 烧结 填孔 玻璃相材料 产品性能 多层产品 混合配料 氧化铝粉 印刷线路 可印刷 良品率 打孔 电容 电阻 叠片 静压 排胶 制造 | ||
【主权项】：
1.一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：1)以玻璃相材料和氧化铝粉为原料进行混合配料；2)将步骤1)混合后的物料制基片；3)在步骤2)得到的基片上打孔、填孔；4)在步骤3)填孔后的基片在三个面上进行印刷线路、干燥、叠片、静压、排胶烧结，得到所述三层陶瓷厚膜电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山福烨电子有限公司，未经昆山福烨电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910203863.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板载置台
- 下一篇：半导体结构和用于形成半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
