[发明专利]一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺在审
| 申请号: | 201910203863.1 | 申请日: | 2019-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN109817563A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
| 发明(设计)人: | 周治华 | 申请(专利权)人: | 昆山福烨电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;C04B35/10 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
| 地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷厚膜电路 三层 生产工艺 烧结 填孔 玻璃相材料 产品性能 多层产品 混合配料 氧化铝粉 印刷线路 可印刷 良品率 打孔 电容 电阻 叠片 静压 排胶 制造 | ||
本发明提供了一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺。本发明的三层陶瓷厚膜电路的生产工艺包括以下步骤:1)以玻璃相材料和氧化铝粉为原料进行混合配料;2)将步骤1)混合后的物料制基片;3)在步骤2)得到的基片上打孔、填孔;4)在步骤3)填孔后的基片在三个面上进行印刷线路、干燥、叠片、静压、排胶烧结,得到所述三层陶瓷厚膜电路。本发明的三层陶瓷厚膜电路的生产工艺,烧结温度低,更容易实现多层产品的制造和提高产品性能与良品率,可印刷电阻和电容,拓宽了陶瓷厚膜电路的应用领域。
技术领域
本发明属于厚膜电路技术领域,涉及一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺。
背景技术
陶瓷厚膜电路绝大多数是单面和双面线路,超出双面的产品极少且多用于军工级产品,在一般的电子产品中极少应用,原因是目前超双面的陶瓷厚膜电路生产工艺不成熟和良品率低下的原因。
近几年来,高频无线通信、航空航天、汽车电子以及逐渐放开的军工产品领域均快速发展,时时更新;尤其是汽车电子的发展,如ECU控制模块、点火模块、电压调节模块、中控械块等均可得到广泛的应用;所以说改进多层陶瓷厚膜电路的生产工艺,提升产品的质量和性能,将使产品可以占领更多的市场份额并与国外的产品竞争市场。
三层的陶瓷厚膜电路,现今国外个别知名公司有生产,但国内仅是军工企业有极个别有试制,也是应用于航空航天和高频通讯等领域。但是,随着电子产品微型化、高集成化方向的发展,同时在大功率、大电流、高耐压和耐高温的产品方面对陶瓷厚膜电路的要求也越来越高,所以,三层的陶瓷厚膜电路产品在今后的市场需求将会逐渐增加,这就要求生产厂家在工艺方面做提升,以应对市场的需求和对产品性能的要求。
目前,多层陶瓷厚膜电路主要以LTCC技术为核心来制造,工艺流程主要为混料、流延、打孔、填孔、丝网印刷、叠片、静压、排胶烧结等。其中,只有排胶烧结工序仍存在改进优化的潜力,其它工序暂无潜力可挖。排胶烧结主要通过缩小原材料的初始颗粒度、改性或者掺杂等手段提高物料的烧结活性、添加低于熔点玻璃或者氧化进行液相烧结三种方法来降低烧结温度;从材料方面主要分为玻璃陶瓷体系、陶瓷-玻璃复合材料、玻璃键合陶瓷三类;同时可实现丝网印刷生产而简化了工艺上的难度,所以在将来会有非常大的应用前景。
CN204046929U公开了一种混合膜集成电路,薄膜集成电路片层上开有一组孔和一组槽,薄膜集成电路片层的一侧焊接在厚膜混合集成电路片层一侧,混合装配元件层焊接在薄膜集成电路片层的另一侧,且混合装配元件层的元件引脚分别焊接在薄膜集成电路片层的一组孔内、一组槽内和厚膜混合集成电路片层上。该实用新型的顶部通孔元件以金属引线的方式贯穿于三层综合结构,避免了柔性电路的通孔开裂,在高、低温工作环境温度下拉断的潜在风险,成本低,解决了陶瓷厚膜电路生产过程中避免增加通孔而大幅度增加成本的问题。但是,该实用新型没有涉及降低烧结温度的问题。
CN86103221A公开了一种多层陶瓷电路板及其制造方法,这种多层陶瓷电路板的布线图形中有多层结构,而多层结构又包括第一和第二导电层(例如,分别为钨层和铜厚膜),而扩散层位于第一和第二导电层间,以改善其粘合性能。这样一来,多层结构就设置了第一和第二导电层以及介于其间的中间层而成,并且至少一种组分从中间层扩散到第一和第二导电层中去。这样就可以提供一种例如钨层和铜厚膜能紧紧地粘合在一起的多层陶瓷电路板。但是,该导电层的材料采用钨、铜,需要的烧结温度高。
因此,提供一种烧结温度低、更容易实现多层产品的制造和提高产品性能与良品率的三层陶瓷厚膜电路的生产工艺很有必要。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺,烧结温度低,更容易实现多层产品的制造和提高产品性能与良品率,可印刷电阻和电容,拓宽了陶瓷厚膜电路的应用领域。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺,所述生产工艺包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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