[发明专利]一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺

权利要求书

1.一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：

1)以玻璃相材料和氧化铝粉为原料进行混合配料；

2)将步骤1)混合后的物料制基片；

3)在步骤2)得到的基片上打孔、填孔；

4)在步骤3)填孔后的基片在三个面上进行印刷线路、干燥、叠片、静压、排胶烧结，得到所述三层陶瓷厚膜电路。

2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，步骤1)中，所述玻璃相材料为刚玉、氧化铝、二氧化硅、氧化镁、氧化钡、氧化钙、氧化锶、氧化锆和二氧化钛的混合物；

优选地，所述混合物按重量份计，所述刚玉为20～50份，所述氧化铝为10～20份，所述二氧化硅为10～20份，所述氧化镁为1～10份，所述氧化钡为1～5份，所述氧化钙为1～10份，所述氧化锶为1～5份，所述氧化锆为1～5份，所述二氧化钛为1～10份。

3.根据权利要求1或2所述的生产工艺，其特征在于，所述玻璃相材料与所述氧化铝粉的质量比为(5～15):(75～95)。

4.根据权利要求1-3之一所述的生产工艺，其特征在于，步骤3)中，所述填孔的材料为银粉、钯粉和有机媒介物的混合物。

5.根据权利要求4所述的生产工艺，其特征在于，所述银粉的平均粒径为2～8μm；

优选地，所述钯粉的平均粒径为0.1～1μm。

6.根据权利要求4或5所述的生产工艺，其特征在于，所述有机媒介物为石脑油、乙基己醇和乙基纤维素中的任意一种或至少两种的混合物。

7.根据权利要求4-6之一所述的生产工艺，其特征在于，所述银粉的质量占所述混合物总质量的95％以上，所述钯粉的质量占所述混合物总质量的0.1～3％，所述有机媒介物的质量占所述混合物总质量的0.1～2％。

8.根据权利要求1-7之一所述的生产工艺，其特征在于，步骤4)中，所述干燥的温度为165～175℃，所述干燥的时间为0.5～1h。

9.根据权利要求1-8之一所述的生产工艺，其特征在于，步骤4)中，所述排胶烧结的温度为850～900℃，所述排胶烧结的时间为1～3h。

10.根据权利要求1-9之一所述的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：

1)以玻璃相材料和氧化铝粉为原料以质量比为(5～15):(75～95)进行混合配料；

2)将步骤1)混合后的物料流延制基片；

3)在步骤2)得到的基片上打孔，采用银粉、钯粉和有机媒介物的混合物进行填孔；

4)在步骤3)填孔后的基片在三个面上进行印刷线路、干燥、叠片、静压、850～900℃排胶烧结，得到所述三层陶瓷厚膜电路。